[发明专利]LDMOS器件埋层的工艺方法

权利要求书

1.一种LDMOS器件埋层的工艺方法，其特征在于，包含：

第1步，在硅衬底上，使用光刻胶定义出N型埋层区，并且在N型埋层区的外围，定义出一个或者多个包围所述N型埋层区的N型环形埋层区；所述N型埋层区与N型环形埋层区的间距，以及多个N型环形埋层区之间的间距，均为0.5～8μm；

第2步，进行N型埋层的注入，杂质通过光刻打开的N型埋层区窗口以及N型环形埋层区窗口进入衬底中，形成N型埋层区和N型环形埋层区；

第3步，进行高温推进；

第4步，进行P型杂质离子的注入，形成P型埋层。

2.如权利要求1所述的LDMOS器件埋层的工艺方法，其特征在于：所述的第1步中，所述N型埋层区与N型环形埋层区的间距，以及多个N型环形埋层区之间的间距，用于调整高温推进后的N型埋层区边缘的杂质浓度。

3.如权利要求1所述的LDMOS器件埋层的工艺方法，其特征在于：所述第2步中，N型杂质注入采用注入能量40～200keV，注入剂量10¹⁴～10¹⁶atoms/cm²。

4.如权利要求1所述的LDMOS器件埋层的工艺方法，其特征在于：所述第3步中，高温推进采用1100～1250℃,30～300分钟。