[发明专利]通过测试程序增加flash器件窗口的方法有效
| 申请号： | 201510607089.2 | 申请日： | 2015-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN105206305B | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 刘凯;张可钢;陈华伦;赵鹏;孙黎瑾 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/08 | 分类号： | G11C29/08;G11C29/16 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 通过 测试 程序 增加 flash 器件 窗口 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种通过测试程序增加flash器件窗口的方法,其特征在于：包含如下的步骤：
第1步，使用测试程序对所有芯片进行VTP变化范围的测试；
第2步，使用测试程序对所有芯片进行VTE变化范围的测试；
第3步，按照不同的VTE范围进行区间分组，将VTE变化范围落入对应区间分组的芯片分入该组；测试程序根据设定的规则将每个芯片分别分入不同的区间分组，其分组规则为：
a,假设平台的最佳VTE绝对值为X, 某芯片的初始VTE绝对值为Y，而参考电流值每增加一个档位，VTE绝对值相应的增量为Z；
b,当(n+1)Z>（Y-X）>nZ时，将该芯片分入第n组；
c,对所有芯片分组完毕后，调整参考电流值的档位,如将第n组的参考电流调低n个档位,这时Y≈X；
第4步，分别对不同的区间分组进行相应不同的参考电流调整或者不调整，重新读取新的参考电流值，使所有分组的芯片的VTE值都向同一数值靠拢，分布收敛；
第5步，重新使用测试程序对所有晶圆进行VTP变化范围的测试；
第6步，重新使用测试程序对所有晶圆进行VTE变化范围的测试。
2.如权利要求1所述的一种通过测试程序增加flash器件窗口的方法，其特征在于：所述第4步，flash器件的逻辑1与逻辑0必须通过对比参考电流实现，并且该参考电流能通过测试程序调整。
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