[发明专利]通过测试程序增加flash器件窗口的方法

说明书

本发明公开了一种通过测试程序增加flash器件窗口的方法，包含：第1步，使用测试程序对所有晶圆上所有芯片进行VTP变化范围的测试；第2步，使用测试程序对所有晶圆上所有芯片进行VTE变化范围的测试；第3步，按照不同的VTE范围进行区间分组，将VTE变化范围落入某特定区间的芯片分入同一组；第4步，分别对不同的区间分组进行相应不同的参考电流调整或者不调整，重新读取新的参考电流值使所有分组的芯片的VTE值都向同一数值靠拢，分布收敛；第5步，重新使用新的参考电流值对所有芯片进行VTP变化范围的测试；第6步，重新使用新的参考电流值对所有芯片进行VTE变化范围的测试。本发明方法增加判断与调整步骤，提升flash器件窗口。

技术领域

本发明涉及半导体器件制造领域，特别是指一种通过测试程序增加flash器件窗口的方法。

背景技术

目前存储器都普遍存在因为工艺差异或者漂移造成的flash器件的电压VT(VT包含VTE和VTP,VTE是指该flash单元为擦除状态时的存储管的电压VT,VTP是指该flash单元为编程状态时的存储管的电压VT)窗口漂移的现象，这种差异可以存在于一片晶圆内，一个批次内，甚至一个平台内。如图1所示，为同一个批次的多个不同晶圆芯片所对应的VTP/VTE分布图，那么该批次的flash窗口大小为：最差的VTP减去最差的VTE。

例如在SONOS为介质的存储器工艺平台中，由于同批次晶圆在生长ONO时分布在炉管的不同位置，因此导致了同批次的晶圆拥有不同的flash窗口，影响flash的整体窗口和良率。由于一个平台的测试条件是既定的，正常情况下不会因为平台内的某个晶圆flash器件VT窗口漂移而作调整。那么，为了兼顾平台内产品的正常的flash器件VT窗口漂移，平台设计时就要考虑到最差的情况，平台flash器件VT的窗口就会大大缩小，增加设计难度。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种通过测试程序增加flash器件窗口的方法。

为解决上述问题，本发明所述的通过测试程序增加flash器件窗口的方法，包含如下的步骤：

第1步，使用测试程序对所有芯片进行VTP变化范围的测试；

第2步，使用测试程序对所有芯片进行VTE变化范围的测试；

第3步，按照不同的VTE范围进行区间分组，将VTE变化范围落入对应区间分组的芯片分入该组；

第4步，分别对不同的区间分组进行相应不同的参考电流调整或者不调整，重新读取新的参考电流值，使所有分组的芯片的VT值都向同一数值靠拢，分布收敛；

第5步，重新使用测试程序对所有晶圆进行VTP变化范围的测试；

第6步，重新使用测试程序对所有晶圆进行VTE变化范围的测试。

进一步地，所述第3步中，测试程序根据设定的规则将每个芯片分别分入不同的区间分组，其分组规则为：

a,假设该平台的最佳VTE绝对值为X,某芯片的初始VTE绝对值为Y，而参考电流值每增加一个档位，VTE绝对值相应的增量为Z；

b,当(n+1)Z>(Y-X)>nZ时，将该芯片分入第n组；

c,对所有芯片分组完毕后，调整参考电流值的档位,如将第n组的参考电流-n个档位,这时Y≈X。

进一步地，所述第4步，flash器件的逻辑1与逻辑0必须通过对比参考电流实现，并且该参考电流能通过测试程序调整。

本发明所述的通过测试程序增加flash器件窗口的方法，对不同窗口的器件进行不同参考电流的补偿，优化flash产品因为工艺问题导致的窗口漂移的问题。

附图说明