[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底基板上通过构图工艺制作像素电极；

在制作完成所述像素电极的衬底基板上通过构图工艺制作栅极线、数据线以及与所述像素电极电连接的电极块，所述栅极线和所述数据线在相交位置处断开；

在晶圆衬底上制作若干薄膜晶体管，每一所述薄膜晶体管包括同层绝缘制作的源电极、漏电极和栅电极，以及位于源电极、漏电极和栅电极上，同层绝缘制作的源电极键合电极、漏电极键合电极和栅电极键合电极；所述源电极键合电极与所述源电极电连接，所述漏电极键合电极与所述漏电极电连接，所述栅电极键合电极与所述栅电极电连接；

将每一个薄膜晶体管与晶圆衬底分离，并分别将栅电极键合电极与预设位置处的栅极线键合，将源电极键合电极与预设位置处的数据线键合，将漏电极键合电极与预设位置处的电极块键合。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在制作完成所述像素电极的衬底基板上通过构图工艺制作栅极线、数据线以及与所述像素电极电连接的电极块，包括：

在制作完成所述像素电极的衬底基板上通过构图工艺制作一层绝缘层；

在所述绝缘层上通过构图工艺制作栅极线、数据线和电极块，所述电极块通过贯穿所述绝缘层的过孔与所述像素电极电连接。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在晶圆衬底上制作薄膜晶体管，包括：

在晶圆衬底上依次制作牺牲层和缓冲层，所述牺牲层用于在后续去除时，将薄膜晶体管与晶圆衬底分离；

在制作完成所述牺牲层和所述缓冲层的晶圆衬底上制作半导体有源层；

在制作完成所述半导体有源层的晶圆衬底上通过构图工艺制作第一绝缘层，后续需要制作源电极和漏电极的区域不覆盖第一绝缘层，后续需要制作栅电极的区域覆盖的第一绝缘层的厚度小于晶圆衬底的其余区域覆盖的第一绝缘层的厚度；

在制作完成所述第一绝缘层的晶圆衬底上制作栅电极、源电极和漏电极，栅电极、源电极和漏电极通过所述第一绝缘层绝缘；

在制作完成所述栅电极、所述源电极和所述漏电极的晶圆衬底上通过构图工艺制作第二绝缘层，后续需要制作源电极键合电极、漏电极键合电极和栅电极键合电极的区域不覆盖第二绝缘层；

在制作完成所述第二绝缘层的晶圆衬底上制作源电极键合电极、漏电极键合电极和栅电极键合电极，源电极键合电极、漏电极键合电极和栅电极键合电极通过所述第二绝缘层绝缘。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在制作完成所述第一绝缘层的晶圆衬底上制作栅电极、源电极和漏电极，包括：

在所述第一绝缘层上依次制作金属阻挡层和铜籽层；

在制作完成所述金属阻挡层和所述铜籽层的晶圆衬底上采用电化学镀的方法制作铜薄膜层；

采用化学机械研磨的方法对铜薄膜层进行抛光、研磨，形成相互绝缘的栅电极、源电极和漏电极。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在制作完成所述第二绝缘层的晶圆衬底上制作源电极键合电极、漏电极键合电极和栅电极键合电极，包括：

在所述第二绝缘层上依次制作金属阻挡层和铜籽层；

在制作完成所述金属阻挡层和所述铜籽层的晶圆衬底上采用电化学镀的方法制作铜薄膜层；

采用化学机械研磨的方法对铜薄膜层进行抛光、研磨，形成相互绝缘的源电极键合电极、漏电极键合电极和栅电极键合电极。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述将每一个薄膜晶体管与晶圆衬底分离，包括：

对制作有源电极键合电极、漏电极键合电极和栅电极键合电极的晶圆衬底的预设切割道区域进行刻蚀，使得切割道区域仅保留牺牲层；

采用第一转印微细吸盘吸附每一个薄膜晶体管，并采用刻蚀溶液刻蚀去除牺牲层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述将栅电极键合电极与预设位置处的栅极线键合，将源电极键合电极与预设位置处的数据线键合，将漏电极键合电极与预设位置处的电极块键合，包括：

采用与所述第一转印微细吸盘位置对应的第二转印微细吸盘将每一个薄膜晶体管进行翻转；

采用各项异性导电薄膜将栅电极键合电极与预设位置处的栅极线键合，将源电极键合电极与预设位置处的数据线键合，将漏电极键合电极与预设位置处的电极块键合。