[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示面板(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)是目前常用的平板显示器，液晶显示面板以其体积小、功耗低、无辐射、分辨率高等优点，被广泛地应用于现代数字信息化设备中。

现有的TFT-LCD面板制造工艺中，薄膜晶体管器件所占的面积仅是比例很小的一部分，为保证像素区域的透光率和开口率，大部分半导体材料在沉积后都会被刻蚀去掉，这种无法避免的浪费不仅是成本上的增加，也会以牺牲环境效益为代价。此外，现有技术在玻璃基板上进行器件工艺，因玻璃基板尺寸过大以及耐腐蚀、耐高温等方面的先天缺陷，使得薄膜晶体管器件在工艺手段的选择以及精密程度上具备一定的局限性。

综上所述，现有技术在TFT-LCD面板制作过程中，材料的利用率较低，会对环境造成一定的污染，且不易制作出精密度较高的半导体器件。

发明内容

本发明实施例提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置，用以提高材料的利用率，提高经济和环境效益，提高半导体器件的精密度。

本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法，所述方法包括：

在衬底基板上通过构图工艺制作像素电极；

在完成上述步骤的衬底基板上通过构图工艺制作栅极线、数据线以及与所述像素电极电连接的电极块，所述栅极线和所述数据线在相交位置处断开；

在晶圆衬底上制作若干薄膜晶体管，每一所述薄膜晶体管包括同层绝缘制作的源电极、漏电极和栅电极，以及位于源电极、漏电极和栅电极上，同层绝缘制作的源电极键合电极、漏电极键合电极和栅电极键合电极；所述源电极键合电极与所述源电极电连接，所述漏电极键合电极与所述漏电极电连接，所述栅电极键合电极与所述栅电极电连接；

将每一个薄膜晶体管与晶圆衬底分离，并分别将栅电极键合电极与预设位置处的栅极线键合，将源电极键合电极与预设位置处的数据线键合，将漏电极键合电极与预设位置处的电极块键合。

由本发明实施例提供的阵列基板的制作方法，由于该方法包括在晶圆衬底上制作若干薄膜晶体管，将每一个薄膜晶体管与晶圆衬底分离，并分别将栅电极键合电极与预设位置处的栅极线键合，将源电极键合电极与预设位置处的数据线键合，将漏电极键合电极与预设位置处的电极块键合。本发明实施例将薄膜晶体管器件制作在晶圆衬底上，然后将具有薄膜晶体管器件功能的微芯片键合至衬底基板上，而在晶圆衬底上制作薄膜晶体管器件，可提高材料的利用率，减少过多的刻蚀浪费，提高经济和环境效益；且晶圆衬底相比于现有技术尺寸较大的衬底基板，在耐高温、耐腐蚀等特性上拥有优势，可适应更多的半导体工艺方法，且在小尺寸的晶圆衬底上进行半导体器件加工工艺，可更好的控制器件的精密度。

较佳地，所述在完成上述步骤的衬底基板上通过构图工艺制作栅极线、数据线以及与所述像素电极电连接的电极块，包括：

在完成上述步骤的衬底基板上通过构图工艺制作一层绝缘层；

在所述绝缘层上通过构图工艺制作栅极线、数据线和电极块，所述电极块通过贯穿所述绝缘层的过孔与所述像素电极电连接。

较佳地，在晶圆衬底上制作薄膜晶体管，包括：

在晶圆衬底上依次制作牺牲层和缓冲层，所述牺牲层用于在后续去除时，将薄膜晶体管与晶圆衬底分离；

在完成上述步骤的晶圆衬底上制作半导体有源层；

在完成上述步骤的晶圆衬底上通过构图工艺制作第一绝缘层，后续需要制作源电极和漏电极的区域不覆盖第一绝缘层，后续需要制作栅电极的区域覆盖的第一绝缘层的厚度小于晶圆衬底的其余区域覆盖的第一绝缘层的厚度；

在完成上述步骤的晶圆衬底上制作栅电极、源电极和漏电极，栅电极、源电极和漏电极通过所述第一绝缘层绝缘；

在完成上述步骤的晶圆衬底上通过构图工艺制作第二绝缘层，后续需要制作源电极键合电极、漏电极键合电极和栅电极键合电极的区域不覆盖第二绝缘层；

在完成上述步骤的晶圆衬底上制作源电极键合电极、漏电极键合电极和栅电极键合电极，源电极键合电极、漏电极键合电极和栅电极键合电极通过所述第二绝缘层绝缘。

较佳地，所述在完成上述步骤的晶圆衬底上制作栅电极、源电极和漏电极，包括：

在所述第一绝缘层上依次制作金属阻挡层和铜籽层；

在完成上述步骤的晶圆衬底上采用电化学镀的方法制作铜薄膜层；