[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基底，形成在基底上的薄膜晶体管和钝化层；

其中，所述钝化层位于所述薄膜晶体管的上方，且在薄膜晶体管区域的厚度小于在非薄膜晶体管区域的厚度；在薄膜晶体管区域中的源漏极区域和沟道区域的交界处的钝化层的上表面为坡面；

所述钝化层采用氮化硅SiNx或氧化硅SiO2制作，其中x为大于0的整数。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

形成在所述钝化层上方的公共电极。

3.一种制作阵列基板的方法，其特征在于，包括：在基底上形成薄膜晶体管和钝化层的步骤：所述钝化层采用氮化硅SiNx或氧化硅SiO2制作，其中x为大于0的整数；

其中，形成钝化层的步骤包括：

在薄膜晶体管的上方形成钝化材料层；

对薄膜晶体管区域的钝化材料层进行减薄刻蚀；

对在薄膜晶体管区域中的源漏极区域和沟道区域的交界处的钝化材料层进行处理，使在该处形成的钝化层的上表面为坡面。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对薄膜晶体管区域的钝化材料层进行减薄刻蚀以及对在薄膜晶体管区域中的源漏极区域和沟道区域的交界处的钝化材料层进行处理，包括：

使用刻蚀气体对薄膜晶体管区域的钝化材料层进行减薄刻蚀，所述刻蚀气体适于使源漏极区域和沟道区域的交界处的钝化材料层的上表面被刻蚀为坡面。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对薄膜晶体管区域的钝化材料层进行减薄刻蚀，包括：

在钝化材料层上形成光刻胶层，并对所形成的光刻胶层进行图案化得到光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶去除区域；

以图案化后的光刻胶层为掩膜，进行第一次刻蚀，在对应于光刻胶去除区域的钝化材料层中形成具有预设深度的盲孔；

对图案化后的光刻胶层进行灰化，去除光刻胶半保留区域的光刻胶层；

以剩余的光刻胶层为掩膜进行第二次刻蚀，将薄膜晶体管区域以及盲孔区域的钝化材料层刻蚀掉预设厚度，得到位于盲孔区域的钝化层过孔。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述对所形成的光刻胶层进行图案化得到光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶去除区域包括：

采用半曝光工艺对所形成的光刻胶层进行图案化得到光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶去除区域。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述预设深度与所述预设厚度的和为所述钝化材料层的厚度。

8.如权利要求3所述的方法，其特征在于，还包括：

在钝化层之上形成公共电极。

9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1或2所述的阵列基板。