[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，该阵列基板包括：基底，形成在基底上的薄膜晶体管和钝化层；其中，所述钝化层位于所述薄膜晶体管的上方，且在薄膜晶体管区域的厚度小于在非薄膜晶体管区域的厚度。本发明提供的阵列基板中，钝化层在薄膜晶体管区域的厚度小于在其他区域的厚度。这样就提高了阵列基板的上表面的平坦程度，有助于降低配向膜制作的工艺难度。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

随着显示器制造技术的发展，液晶显示器技术发展迅速，己经取代了传统的显像管显示器而成为未来平板显示器的主流。在液晶显示器技术领域中，薄膜晶体管液晶显示装置TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)以其大尺寸、高度集成、功能强大、工艺灵活、低成本等优势而广泛应用于电视机、电脑等领域。

薄膜晶体管液晶显示装置包括阵列基板、彩膜基板以及在阵列基板和彩膜基板之间灌注的液晶。为了保证液晶分子能够沿着正确的方向排列，并形成一定的预倾角，需要在阵列基板和彩膜基板表面形成一层均匀的配向膜，通过摩擦之类的配向处理，使配向膜对液晶分子具有配向控制力。由于薄膜晶体管仅对应设置在阵列基板的部分区域，这样形成的阵列基板表面不平整，角段差较大，这样会增大配向膜制作的工艺难度。

发明内容

本发明的一个目的在于解决上述技术问题。

第一方面，本发明提供了一种阵列基板，包括：基底，形成在基底上的薄膜晶体管和钝化层；

其中，所述钝化层位于所述薄膜晶体管的上方，且在薄膜晶体管区域的厚度小于在非薄膜晶体管区域的厚度。

进一步的，还包括：

形成在所述钝化层上方的公共电极。

进一步的，在薄膜晶体管区域中的源漏极区域和沟道区域的交界处的钝化层的上表面为坡面。

第二方面，本发明提供了一种制作阵列基板的方法，包括：在基底上形成薄膜晶体管和钝化层的步骤：

其中，形成钝化层的步骤包括：

在薄膜晶体管的上方形成钝化材料层；

对薄膜晶体管区域的钝化材料层进行减薄刻蚀。

进一步的，所述形成钝化层的步骤还包括：

对在薄膜晶体管区域中的源漏极区域和沟道区域的交界处的钝化材料层进行处理，使在该处形成的钝化层的上表面为坡面。

进一步的，所述对薄膜晶体管区域的钝化材料层进行减薄刻蚀以及对在薄膜晶体管区域中的源漏极区域和沟道区域的交界处的钝化材料层进行处理，包括：

使用刻蚀气体对薄膜晶体管区域的钝化材料层进行减薄刻蚀，所述刻蚀气体适于使源漏极区域和沟道区域的交界处的钝化材料层的上表面被刻蚀为坡面。

进一步的，所述对薄膜晶体管区域的钝化材料层进行减薄刻蚀，包括：

在钝化材料层上形成光刻胶层，并对所形成的光刻胶层进行图案化得到光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶去除区域；

以图案化后的光刻胶层为掩膜，进行第一次刻蚀，在对应于光刻胶去除区域的钝化材料层中形成具有预设深度的盲孔；

对图案化后的光刻胶层进行灰化，去除光刻胶半保留区域的光刻胶层；

以剩余的光刻胶层为掩膜进行第二次刻蚀，将薄膜晶体管区域以及盲孔区域的钝化材料层刻蚀掉预设厚度，得到位于盲孔区域的钝化层过孔。