[发明专利]半导体工艺有效
| 申请号： | 201510611091.7 | 申请日： | 2015-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN105448828B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 谢维铭;蔡裕斌;曹育诚;王丞鸿;林俊杰;杨秀雄 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 | ||
1.一种半导体工艺，包含以下步骤：
(a)提供半导体元件，其包含多个焊球，且测试所述半导体元件；
(b)将所述半导体元件经由粘着层贴附至载体上，使得所述粘着层夹设于所述半导体元件与所述载体之间；
(c)切割所述半导体元件以形成多个半导体元件单体，所述半导体元件单体分别包含至少一个所述焊球；
(d)测试所述半导体元件单体的所述焊球；以及
(e)比对步骤(a)的测试结果与步骤(d)的测试结果。
2.根据权利要求1所述的半导体工艺，其中所述步骤(c)之后进一步包含形成图案于所述半导体元件单体的表面上。
3.根据权利要求2所述的半导体工艺，其中所述图案利用打印激光移除所述半导体元件单体的表面的一部分而形成。
4.根据权利要求3所述的半导体工艺，其中所述步骤(b)中，所述载体及所述粘着层可供所述打印激光穿透。
5.根据权利要求4所述的半导体工艺，其中所述粘着层的材质为可遇热解胶，且其热解胶温度为50℃至300℃。
6.根据权利要求4所述的半导体工艺，其中所述粘着层包括发泡层及主体层。
7.根据权利要求1所述的半导体工艺，其中所述步骤(d)之后进一步包含形成图案于所述半导体元件单体的表面上的步骤。
8.根据权利要求1所述的半导体工艺，其中所述步骤(d)之后进一步包含：
(d1)解除所述粘着层的粘着性。
9.根据权利要求8所述的半导体工艺，其中所述步骤(d1)施加解胶激光至所述粘着层，以解除所述粘着层的粘着性。
10.根据权利要求1所述的半导体工艺，其中所述步骤(a)进一步包含测试所述半导体元件的多个单体区域。
11.根据权利要求10所述的半导体工艺，其中所述步骤(d)所使用的测试装置与所述步骤(a)所使用的测试装置相同，且所述步骤(d)中所述测试装置所测试的所述半导体元件单体的数目与所述步骤(a)中所述测试装置所测试的所述单体区域的数目相同。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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