[发明专利]半导体工艺

说明书

本发明涉及一种半导体工艺，其包含以下步骤：(a)提供半导体元件，且测试所述半导体元件；(b)将所述半导体元件经由粘着层贴附至载体上，使得所述粘着层夹设于所述半导体元件与所述载体之间；(c)切割所述半导体元件以形成多个半导体元件单体；(d)测试所述半导体元件单体；及(e)比对步骤(a)的测试结果与步骤(d)的测试结果。借此，所述半导体元件单体彼此间的间隙在切割后即固定，而便于测试所述半导体元件单体。

技术领域

本发明涉及一种半导体工艺。详言之，本发明涉及一种半导体切割及测试工艺，以及半导体切割后形成图案的工艺。

背景技术

常规切割前晶片的产品测试方式为直接将晶片置于设备中进行检测，可同时测试多个单体区域内的多颗裸片(Die)，但此方式无法检测出所述晶片切割后的作业缺陷，原因如下所述。

常规切割后晶片的产品测试方式为将晶片置于切割胶带(Tape)上，其中所述切割胶带的外缘由环状的膜片架(Film Fame)固定。进行晶片切割后，形成多颗分离的裸片，由于所述膜片架对所述切割胶带的横向拉力，使得所述裸片会被横向拉开而发生位置偏移的情况，即所述裸片彼此间的间隙在切割后会加大。而且此偏移会累积，即在外围的裸片的偏移量会更大。由于测试用的探针在探针头的位置固定，因此当裸片的偏移量超过一数值后，探针便无法同时测试到与切割前相同数量的多个单体区域内的多个裸片，因此常规的产品测试方式的作业效率会下降。举例来说，常规的产品测试方式，切割前可一次同时测试15个单体区域内的多个裸片，切割后因上述偏移量的关系，一次只能同时测试4个单体区域内的多个裸片，因此，测试机台的单位小时产能(Units Per Hour,UPH)无法有效提升。

此外，上述常规作业方式在进行激光打印时会有以下问题。首先，由于激光必须穿过所述切割胶带，因此所述切割胶带只能选择非UV解胶材料，然而，非UV解胶材料的粘性较低，会降低所述晶片与所述切割胶带间的粘着力，而影响整个工艺。其次，如果所述晶片产生较大的翘曲，所述切割胶带无法完全将所述晶片拉平，因此在激光打印时会产生偏移。此外，如同上述，所述裸片在切割后会被横向拉开而发生位置偏移的情况，因此，所述晶片在切割后无法再进行第二次的激光打印。

发明内容

本发明的方面涉及一种半导体工艺。在实施例中，所述半导体工艺包含以下步骤：(a)提供半导体元件，且测试所述半导体元件；(b)将所述半导体元件经由粘着层贴附至载体上，使得所述粘着层夹设于所述半导体元件与所述载体之间；(c)切割所述半导体元件以形成多个半导体元件单体；(d)测试所述半导体元件单体；及(e)比对步骤(a)的测试结果与步骤(d)的测试结果。借此，所述半导体元件单体彼此间的间隙在切割后即固定，而便于测试所述半导体元件单体。

本发明的另一方面涉及一种半导体工艺。在实施例中，所述半导体工艺包含以下步骤：(a)提供半导体元件；(b)将所述半导体元件经由粘着层贴附至载体上，使得所述粘着层夹设于所述半导体元件及所述载体之间；(c)切割所述半导体元件以形成多个半导体元件单体；及(d)形成图案于所述半导体元件单体的表面上。

本发明的另一方面涉及一种半导体工艺。在实施例中，所述半导体工艺包含以下步骤：在切割半导体元件前，提供所述半导体元件的测试结果的第一图表的视觉显示(Visual Display)，所述第一图表标示切割前所述半导体元件中瑕疵的半导体元件单体区域的位置；及在切割所述半导体元件后，提供所述半导体元件的测试结果的第二图表的视觉显示，所述第二图表标示切割后所述半导体元件中瑕疵的半导体元件单体的位置。

附图说明

图1至16显示本发明的半导体工艺的实施例的示意图。

图1a显示本发明的半导体元件的实施例的俯视图。

图1b显示本发明的半导体元件的另一实施例的俯视图。

图3a显示第一次测试的测试设定(Setup)。