[发明专利]用漆涂覆衬底的方法和用于平面化漆层的设备有效
| 申请号： | 201510612238.4 | 申请日： | 2015-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN105457855B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 卡特琳·费舍尔;佛罗莱恩·帕利奇卡;约翰内斯·普拉滕;金子健人 | 申请（专利权）人： | 苏斯微技术光刻有限公司 |
| 主分类号： | B05D1/02 | 分类号： | B05D1/02;B05D3/10;B05D3/02;B05C9/14 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋;杨生平 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用漆涂覆 衬底 方法 用于 平面化 设备 | ||
1.一种用漆涂覆衬底(26)的方法，其中待涂覆的衬底是半导体，所述方法包括以下步骤：
-对衬底(26)均匀地施加漆，
-降低对衬底(26)施加的漆(30)的溶剂比例，
-将涂覆的衬底(26)暴露于溶剂氛；
其中，直到衬底暴露于溶剂氛时和衬底暴露于溶剂氛期间，所施加的漆的溶剂比例保持在一范围内，在所述范围内所施加的漆的粘度足够高以确保漆不再流动。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在暴露于所述溶剂氛之后加热所述涂覆的衬底，因此，所施加的漆(30)经历软烘。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，为了降低对衬底(26)施加的漆(30)的溶剂比例，将所述涂覆的衬底暴露于真空。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，为了降低对衬底(26)施加的漆(30)的溶剂比例，加热所述涂覆的衬底(26)。
5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述溶剂氛具有至少50摩尔％的溶剂比例。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述溶剂氛具有至少70摩尔％的溶剂比例。
7.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述溶剂氛的溶剂是丙酮或者甲基乙基酮。
8.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述溶剂氛的温度为溶剂的沸点以上。
9.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述溶剂氛的压力大于或者等于0.5巴。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述溶剂氛的压力大于或者等于0.7巴。
11.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，涂覆的衬底(26)暴露于所述溶剂氛480秒或更少。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，涂覆的衬底(26)暴露于所述溶剂氛420秒或更少。
13.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，通过喷射将漆均匀地施加到衬底上。
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