[发明专利]FinFET及其制造方法有效
| 申请号： | 201510612319.4 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN105304715A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;许淼;梁擎擎;尹海洲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/66 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | finfet 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
半导体衬底；
在半导体衬底上形成的半导体鳍状结构；以及
在鳍状结构中距离鳍状结构的顶面一定距离形成的穿通阻止层，其中，穿通阻止层与鳍状结构位于穿通阻止层之上的部分之间具有掺杂浓度界面。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
在鳍状结构侧壁上形成的掺杂剂层，其中，掺杂剂层的顶面低于鳍状结构的顶面，且穿通阻止层的位置对应于掺杂剂层的位置。
3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，穿通阻止层沿鳍状结构的宽度方向具有掺杂浓度分布，使得穿通阻止层中间部分的掺杂浓度低于两端部分的掺杂浓度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，鳍状结构与半导体衬底一体。
5.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：
在半导体衬底上形成且顶面低于半导体鳍状结构的顶面的隔离层，其中，掺杂剂层在隔离层上。
6.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，掺杂剂层包括在鳍状结构的侧面上延伸的部分以及在半导体衬底的横向表面上延伸的部分。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括：在所述掺杂剂层上的隔离层。
8.根据权利要求5或7所述的半导体器件，还包括：
在隔离层上形成的横跨鳍状结构的栅堆叠，该栅堆叠包括栅介质层和栅导体层；
在位于栅堆叠两侧的半导体鳍状结构中形成的源漏区。
9.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，
所述半导体器件为N型器件，所述掺杂剂层中包括P型掺杂剂；或者
所述半导体器件为P型器件，所述掺杂剂层中包括N型掺杂剂。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述P型掺杂剂包括B，所述N型掺杂剂包括P或As。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510612319.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种NiO:Al/TiOx异质pn结二极管
- 下一篇：碳化硅半导体器件
- 同类专利
- 专利分类
