[发明专利]具有高速低电压双位存储器的1T紧凑型ROM单元

权利要求书

1.一种ROM存储器件，包括：

多个行和列的存储单元，每个存储单元包括位线对和用于在其中存储两位数据的晶体管；以及

布置在位线对的相邻对之间的虚拟接地线，其中所述位线对和虚拟接地线被配置为读取在存储单元中存储的数据。

2.根据权利要求1所述的ROM存储器件，

其中位线对的每一条位线兼用作虚拟接地线。

3.根据权利要求1所述的ROM存储器件，其中所述虚拟接地线是专用虚拟接地线。

4.根据权利要求1所述的ROM存储器件，包括包含位线对的至少一列存储单元。

5.根据权利要求1所述的ROM存储器件，其中所述位线对的第一位线接地，以从所述位线对的第二位线读取数据。

6.根据权利要求1所述的ROM存储器件，其中所述晶体管是NMOS或PMOS晶体管。

7.根据权利要求1所述的ROM存储器件，包括用于控制所述位线对的极性的虚拟接地生成电路。

8.根据权利要求1所述的ROM存储器件，包括具有预定数目输入的列复用器，其中所述位线对和虚拟接地线是所述列复用器的输入。

9.根据权利要求8所述的ROM存储器件，其中列复用器的没有接地的或正被读取的输入处于不必关注状态。

10.根据权利要求1所述的ROM存储器件，通过控制所述虚拟接地线和所述位线对的第一位线的极性以读取所述位线对的第二位线上的数据位的值，来读取存储单元。

11.根据权利要求10所述的ROM存储器件，包括用于控制所述第一位线的极性的虚拟接地生成电路。

12.根据权利要求10所述的ROM存储器件，其中所述虚拟接地线、第一位线和第二位线是具有预定数目输入的列复用器的输入。

13.根据权利要求12所述的ROM存储器件，其中从没有正被读取或虚拟接地的多个预定输入读取多个不必关注值。

14.根据权利要求1所述的ROM存储器件，其中所述虚拟接地线和第二位线被控制为读取第一位线上的数据位的值。

15.一种ROM存储器件，包括：

多个列复用器，具有多个行和列的存储单元，所述存储单元包括：

在其中存储两位数据的晶体管；

多个位线对，每个位线对包括分别在所述晶体管的一侧上的第一位线和第二位线；以及

布置在列复用器对之间的附加位线。

16.根据权利要求15所述的ROM存储器件，其中多个位线用于读取在所述晶体管中存储的两位。

17.根据权利要求15所述的ROM存储器件，其中三条位线虚拟接地以读取在第四位线上存储的数据。

18.根据权利要求15所述的ROM存储器件，其中从多条位线读取的数据被复用以形成单个输出位。

19.根据权利要求15所述的ROM存储器件，其中列复用器的没有虚拟接地或被读取的位线输入保持在高阻抗状态。

20.根据权利要求15所述的ROM存储器件，包括用于编程所述位线的值的虚拟接地生成电路。