[发明专利]具有高速低电压双位存储器的1T紧凑型ROM单元

说明书

技术领域

本文公开的各实施例总体上涉及单晶体管只读存储器(ROM)位单元(bitcell)及读取其中存储的数据的方法。

背景技术

掩模型只读存储器(ROM)是一种在制造过程中编码数据的半导体存储器件。已有多种类型的制造工艺来编程掩模型ROM，例如扩散、金属化、以及通孔工艺。在扩散工艺中，掩模型ROM在扩散工艺期间被编程在半导体衬底中。在嵌入式金属可编程ROM中，ROM数据在金属/金属化工艺期间被编程。在通孔可编程ROM中，与嵌入式金属可编程ROM类似，ROM数据代码在通孔形成工艺期间被编程。

发明内容

以下提出各实施例的简要概述。在以下概述中有一些简化和省略，其旨在突出和介绍各实施例的一些方面，而非限制本发明的范围。具体实施方式足以使本领域技术人员做出和使用以下部分的发明构思。

根据一个实施例，提供了一种ROM存储器件，包括多个行和列的存储单元，每个存储单元包括位线对和用于在其中存储两位数据的晶体管；以及布置在位线对的相邻对之间的虚拟接地线，其中所述位线对和虚拟接地线读取存储单元中存储的数据。

位线对的每一条位线可以兼用作虚拟接地线。所述虚拟接地线是专用虚拟接地线。

ROM存储器件可以包括包含位线对的至少一列存储单元。

所述位线对的第一位线可以接地，以从所述位线对的第二位线读取数据。所述晶体管可以是具有合适逻辑电平的NMOS或PMOS晶体管。

ROM存储器件可以包括用于控制所述位线对的极性的虚拟接地生成电路。

ROM存储器件可以包括具有预定数目输入的列复用器，其中所述位线对和虚拟接地线是所述列复用器的输入。

列复用器中没有接地或被读取的输入处于不必关注状态。

可以通过控制所述虚拟接地线和所述位线对的第一位线的极性以读取所述位线对的第二位线上的数据位的值，来读取存储单元。

ROM存储器件可以包括用于控制所述第一位线的极性的虚拟接地生成电路。所述虚拟接地线、第一位线和第二位线可以是针对具有预定数目输入的列复用器的输入。可以从没有被读取或虚拟接地的多个预定输入读取多个不必关注值。

所述虚拟接地线和第二位线可以被控制为读取第一位线上的数据位的值。

根据另一个实施例，ROM存储器件可以包括多个列复用器，所述列复用器具有多个行和多列存储单元，所述存储单元包括在其中存储两位数据的晶体管，多个位线对，每个位线对包括分别在所述晶体管的一侧上的第一位线和第二位线；以及布置在列复用器对之间的附加位线。

多个位线可以用于读取在所述晶体管中存储的两位。三条位线虚拟接地以读取存储在第四位线上的数据。从多条位线读取的数据被复用以形成单个输出位。列复用器中没有虚拟接地或被读取的位线输入保持在高阻抗状态。

ROM存储器件可以包括用于编程所述位线的值的虚拟接地生成电路。

附图说明

参考附图，通过非限制示例更详细地描述本发明的实施例，其中：

图1示出了相关技术的源极连接的NOR型ROM单元的示意图；

图2示出了相关技术的源极和漏极连接的NOR型ROM单元的示意图；

图3示出了实施例的NMOS型NORROM单元的示意图；

图4示出了根据图3的通孔连接的示意图；

图5示出了根据图3的行-列配置的示意图；

图6A和6B示出了根据图3的不同读配置的示意图；

图7示出了根据另一个实施例的使用位线的NOR型ROM单元的示意图；

图8示出了根据图7的通孔连接的示意图；

图9示出了根据图7的行-列配置的示意图；

图10A和10B示出了根据图7的不同读配置的示意图；以及

图11示出了根据本文所述实施例的将器件参数进行比较的五角形图。

具体实施方式

应当理解，附图仅是示意性的且没有按比例绘制。还应当理解，贯穿附图中同的附图标记用于指示相同或类似的部分。