[发明专利]一种修复TFT面板阵列T形缺陷的测试结构及方法有效
申请号: | 201510613298.8 | 申请日: | 2015-09-24 |
公开(公告)号: | CN105140151B | 公开(公告)日: | 2017-09-29 |
发明(设计)人: | 周作兴;程丙勋;崔亚辉;何其军 | 申请(专利权)人: | 上海奕瑞光电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/77 |
代理公司: | 上海光华专利事务所31219 | 代理人: | 唐棉棉 |
地址: | 201201 上海市浦东新区张江*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 修复 tft 面板 阵列 缺陷 测试 结构 方法 | ||
1.一种修复TFT面板阵列T形缺陷的测试结构,其特征在于,所述测试结构至少包括:支撑件和连接件;
所述支撑件包括支撑平台和安装在所述支撑平台上的缓冲层和支撑柱;
所述缓冲层上承载有待修复的非晶硅TFT面板阵列,所述非晶硅TFT面板阵列具有第一表面和第二表面,所述第一表面形成有闪烁体层,所述闪烁体层与所述缓冲层物理接触;
所述连接件包括与所述非晶硅TFT面板阵列电连的柔性电路板、和与所述柔性电路板电连的信号处理电路板,所述信号处理电路板由所述支撑柱所支撑。
2.根据权利要求1所述的修复TFT面板阵列T形缺陷的测试结构,其特征在于:所述支撑柱焊接在所述支撑平台上或者通过螺纹固定在所述支撑平台上。
3.根据权利要求1所述的修复TFT面板阵列T形缺陷的测试结构,其特征在于:所述支撑柱为铝金属。
4.根据权利要求1所述的修复TFT面板阵列T形缺陷的测试结构,其特征在于:所述信号处理电路板上设置有连接器,所述柔性电路板通过所述连接器与信号处理电路板电连。
5.根据权利要求1所述的修复TFT面板阵列T形缺陷的测试结构,其特征在于:所述缓冲层为硅胶垫。
6.根据权利要求1所述的修复TFT面板阵列T形缺陷的测试结构,其特征在于:所述非晶硅TFT面板阵列的第二表面朝上,所述第二表面覆盖有透明基板。
7.根据权利要求1所述的修复TFT面板阵列T形缺陷的测试结构,其特征在于:所述闪烁体层为GOS或CsI。
8.一种利用如权利要求1~7任一项所述的测试结构来修复TFT面板阵列T形缺陷的方法,其特征在于,所述方法包括:将所述非晶硅TFT面板阵列倒置于支撑平台上的缓冲层表面,用所述支撑柱支撑信号处理电路板,激光从所述非晶硅TFT面板阵列的第二表面入射,隔离缺陷像素点。
9.根据权利要求8所述的修复TFT面板阵列T形缺陷的方法,其特征在于:所述信号处理电路板为倒扣式安装,并由所述支撑柱支撑。
10.根据权利要求8所述的修复TFT面板阵列T形缺陷的方法,其特征在于:所述激光穿过透明基板,从所述第二表面入射到达非晶硅TFT面板阵列上的缺陷像素点。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海奕瑞光电子科技有限公司,未经上海奕瑞光电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510613298.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造