[发明专利]一种修复TFT面板阵列T形缺陷的测试结构及方法

说明书

技术领域

本发明涉及医疗检测领域，特别是涉及一种修复TFT面板阵列T形缺陷的测试结构及方法。

背景技术

从1995年RSNA上推出第一台平板探测器(Flat Panel Detector)设备以来，随着近年平板探测技术取得飞跃性的发展，在平板探测器的研发和生产过程中，平板探测技术可分为直接和间接两类。间接FPD的结构主要是由闪烁体或荧光体层加具有光电二极管作用的非晶硅层(amorphous Silicon，a-Si)再加薄膜半导体阵列(Thin Film Transistor array，TFT)构成。

非晶硅X射线平板探测器的成像过程需要经历“X射线”到“可见光”，然后“电荷图像”到“数字图像”的成像转换过程，是一种以非晶硅光电二极管阵列为核心的X射线影像探测器。在X射线照射下探测器的闪烁体或荧光体层将X射线光子转换为可见光，而后由具有光电二极管作用的非晶硅阵列变为图像电信号，通过外围电路积分读出及A/D变换，从而获得数字化图像。非晶硅平板探测器具有成像速度快，良好的空间及密度分辨率，高信噪比，直接数字输出等显著优点。

但是，在非晶硅TFT面板阵列的生产过程中，会引入一些杂质，导致个别像素点因为短路、击穿、漏电等，造成该像素点的灰度值饱和，并影响周围的像素，最终在整个图像上形成一个大写“T”形的缺陷。针对这种缺陷，当前的修复方式是从非晶硅TFT面板阵列的正面用激光将该像素通道打通，从而隔离该像素，使其不影响其他周围的像素。

除了在生产非晶硅TFT面板阵列时会引入杂质，在给非晶硅TFT面板阵列的正面附着一层闪烁体的工艺过程中，也会出现“T”型缺陷，由于正面已经覆盖了闪烁体，难以分离，激光被闪烁体挡住，无法从正面无法穿过闪烁体，因此，此时形成的T形缺陷不能从非晶硅TFT面板阵列的正面进行修复。

因此，提供一种新的修复TFT面板阵列T形缺陷的测试结构及方法是本领域技术人员需要解决的课题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种修复TFT面板阵列T形缺陷的测试结构及方法，用于解决现有技术中TFT面板阵列正面制作闪烁体后，无法从正面修复T形缺陷的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种修复TFT面板阵列T形缺陷的测试结构，所述测试结构至少包括：支撑件和连接件；

所述支撑件包括支撑平台和安装在所述支撑平台上的缓冲层和支撑柱；

所述缓冲层上承载有待修复的非晶硅TFT面板阵列，所述非晶硅TFT面板阵列具有第一表面和第二表面，所述第一表面形成有闪烁体层，所述闪烁体层与所述缓冲层物理接触；

所述连接件包括与所述非晶硅TFT面板阵列电连的柔性电路板、和与所述柔性电路板电连的信号处理电路板，所述信号处理电路板由所述支撑柱所支撑。

作为本发明修复TFT面板阵列T形缺陷的测试结构的一种优化的方案，所述支撑柱焊接在所述支撑平台上或者通过螺纹固定在所述支撑平台上。

作为本发明修复TFT面板阵列T形缺陷的测试结构的一种优化的方案，所述支撑柱为铝金属。

作为本发明修复TFT面板阵列T形缺陷的测试结构的一种优化的方案，所述信号处理电路板上设置有连接器，所述柔性电路板通过所述连接器与信号处理电路板电连。

作为本发明修复TFT面板阵列T形缺陷的测试结构的一种优化的方案，所述缓冲层为硅胶垫。

作为本发明修复TFT面板阵列T形缺陷的测试结构的一种优化的方案，所述非晶硅TFT面板阵列的第二表面朝上，所述第二表面覆盖有透明基板。

作为本发明修复TFT面板阵列T形缺陷的测试结构的一种优化的方案，所述闪烁体层为GOS或CsI。

本发明还提供一种修复TFT面板阵列T形缺陷的方法，所述方法包括：将所述非晶硅TFT面板阵列倒置于支撑平台上的缓冲层表面，用所述支撑柱支撑信号处理电路板，激光从所述非晶硅TFT面板阵列的第二表面入射，隔离缺陷像素点。

作为本发明修复TFT面板阵列T形缺陷的方法的一种优化的方案，所述信号处理电路板为倒扣式安装，并由所述支撑柱支撑。

作为本发明修复TFT面板阵列T形缺陷的方法的一种优化的方案，所述激光穿过透明基板，从所述第二表面入射到达非晶硅TFT面板阵列上的缺陷像素点。