[发明专利]用于布线和真空的具有贯穿通道的光电封装件有效
申请号: | 201510617216.7 | 申请日: | 2015-09-24 |
公开(公告)号: | CN105470315B | 公开(公告)日: | 2019-01-22 |
发明(设计)人: | R·帕萨;W·弗伦奇 | 申请(专利权)人: | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203;H01L31/18 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 赵蓉民;赵志刚 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 布线 真空 具有 贯穿 通道 光电 封装 | ||
本发明涉及用于布线和真空的具有贯穿通道的光电封装件。一种层叠的光电封装设备(300)包括封装材料内的多个层叠的部件,所述封装件具有为所述封装件提供侧壁和底壁的封装壳体和密封所述封装件的顶部的封盖(174)。所述层叠的部件包括具有顶面和底面的第一型腔模(252),所述第一型腔模(252)包括形成于所述底面中的至少一个贯穿通道。底模(251)具有包括至少一条电气迹线(354、357)的顶面和在其上的光源模(180)。所述第一型腔模的所述贯穿通道中的至少一个与所述电气迹线对准,并且所述第一型腔模被接合到所述底模,其中所述电气迹线在所述贯穿通道内,并且不接触所述第一型腔模,以提供真空密封结构。光电检测器(PD)被光学耦合以接收源自光源的光。
相关申请的交叉参考
本申请要求2014年9月26日提交的临时申请序列NO.62/055,827、题为“微构原子钟(MFAC)与磁力仪(MFAM):高容量制造的(HVM)磁性表征(Microfabricated atomicclocks(MFAC)&magnetometers(MFAM):high volume manufactural(HVM)magneticcharacterization)”的权益,其全部公开内容通过引用并入本文。
技术领域
公开的实施例涉及实施光泵送传感器或参考的层叠的光电封装件,诸如MFAC和MFAM。
背景技术
各种光电设备是封装设备,其包括在真空下操作的光电检测器(PD)和至少一个光源。传统的MFAC和MFAM封装件包括在封装材料内侧的垂直层叠的结构,所述结构包括作为支承件的底模,所述底模具有电气迹线和安装在其上的至少一个光源(例如,激光模,诸如垂直腔面发射激光器(VCSEL));在所述底模上的第一型腔模(first cavity die),其在光源的上方提供凹腔;以及在所述第一型腔模上的光学模。在所述底模上的所述电气迹线连接外部驱动器,所述外部驱动器驱动所述光源并且包括电阻加热器的迹线,诸如以便提供热能以加热光源模到50℃以上的温度,例如,到60℃和80℃之间的温度。第二型腔模是在密封模上,所述密封模是在所述光学模上,并且光电检测器(PD)模是在将被耦合以接收源自所述光源的光的位置中。该封装件是真空密封封装件。
发明内容
本发明内容被提供来以简化的形式介绍本公开的一些概念,其将在下面具体实施方式中,包括提供的附图中进一步描述。本发明内容不旨在限制所要求保护的主题的范围。
公开的实施例认识到所述第一型腔模部分地在层叠的光电封装设备(光电封装设备)的底模的顶部并因此接触该底模的顶侧面上的电气迹线(或布线线路),诸如用于将外部驱动器连接到在底模上的光源的电气迹线,由于电气迹线在所述第一型腔模的部分下面产生局部凸起的区域,所以能够导致光学层叠倾斜。光学层叠的倾斜被认为与在光源上方的腔区域中所需的真空干扰,这能够降低光电封装设备的性能。
公开的实施例包括具有模与模真空密封结构的部分层叠,该部分层叠包括第一型腔模和底模,其中底模包括在其顶面的电气迹线。第一型腔模包括形成于其底面中的至少一个贯穿通道,贯穿通道中的至少一个与在底模上的所述电气迹线对准,使得当所述第一型腔模被接合到所述底模时,贯穿通道的尺寸将电气迹线(一条或多条)容纳在其中,使得电气迹线(一条或多条)不接触第一型腔模。该特征消除第一型腔模的倾斜,实现了改进的层叠,从而提供更完整的真空密封的封装架构,诸如用于改善包括微构原子钟(MFAC)、微构磁力仪(MFAM)和运动传感器设备的光电封装设备的性能。
附图说明
现在将参考附图,其中附图不一定按比例绘制,其中:
图1是根据示例实施例的示出在使用第一型腔模形成光电封装设备的示例方法中的步骤的流程图,第一型腔模具有与在底模的顶面上的电气迹线(一条或多条)对准且被定尺寸以不接触电气迹线(一条或多条)的贯穿通道(一个或多个)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的