[发明专利]显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201510617395.4 | 申请日: | 2015-09-24 |
公开(公告)号: | CN105609468B | 公开(公告)日: | 2018-07-06 |
发明(设计)人: | 申美姬;金兌相;金珉镜 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 数据线 虚拟线 驱动 等位线 栅极线 交叠 源层 去除 修整 栅极线交叉 延伸 短接 制造 | ||
1.一种用于制造显示装置的方法,该方法包括:
在基板上形成多个驱动块,所述多个驱动块包括多条栅极线和连接至所述多条栅极线的栅极短接结构;
形成第一等位线,所述第一等位线连接相邻驱动块以在所述驱动块之间创建等电位;
形成从所述多个驱动块的至少之一延伸的栅极虚拟线;
在所述栅极虚拟线上形成有源层和多条数据线;
通过去除部分数据线暴露出所述有源层的与所述栅极虚拟线交叠的一些部分;
通过使得部分暴露的有源层导电来形成第二等位线,所述第二等位线创建在所述多条栅极线和所述多条数据线之间的等电位;
通过去除部分第一等位线和部分栅极线作为修整区,消除在所述驱动块之间的等电位;和
通过去除部分第二等位线,消除在所述多条栅极线和所述多条数据线之间的等电位。
2.如权利要求1所述的方法,其中形成所述第一等位线和形成所述栅极虚拟线同时执行。
3.如权利要求1所述的方法,其中通过激光修整工艺去除部分第一等位线和部分栅极线。
4.如权利要求1所述的方法,其中所述有源层由氧化物半导体材料制成。
5.如权利要求1所述的方法,其中通过等离子体处理使得部分暴露的有源层导电,形成所述第二等位线。
6.一种显示装置,包括:
多个驱动块,所述多个驱动块包括多条栅极线以及作为修整区与所述栅极线间隔开的栅极短接结构;
等位线,所述等位线从所述多个驱动块之一延伸至相邻驱动块,所述等位线的一部分作为修整区被去除;
栅极虚拟线,所述栅极虚拟线从所述多个驱动块的至少之一延伸;
与所述多条栅极线交叉的多条数据线;和
在所述栅极虚拟线和所述多条数据线之间的有源层,
其中所述有源层的与所述栅极虚拟线交叠但是不与所述多条数据线交叠的一些部分被去除。
7.如权利要求6所述的显示装置,其中所述等位线由与所述多条栅极线相同的材料制成。
8.如权利要求6所述的显示装置,其中所述多个驱动块彼此绝缘。
9.如权利要求6所述的显示装置,其中所述多条数据线与所述栅极虚拟线绝缘。
10.如权利要求6所述的显示装置,其中所述有源层由氧化物半导体材料制成。
11.如权利要求6所述的显示装置,其中所述有源层的被去除的部分是所述有源层的导电部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造