[发明专利]显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201510617395.4 | 申请日: | 2015-09-24 |
公开(公告)号: | CN105609468B | 公开(公告)日: | 2018-07-06 |
发明(设计)人: | 申美姬;金兌相;金珉镜 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 数据线 虚拟线 驱动 等位线 栅极线 交叠 源层 去除 修整 栅极线交叉 延伸 短接 制造 | ||
公开一种显示装置及其制造方法。根据实施方式的显示装置包括:多个驱动块,包括多条栅极线以及与栅极线间隔开等于修整区的量的栅极短接结构;从一个驱动块延伸至相邻驱动块的等位线,等位线的一部分被去除等于修整区的量;从至少一个驱动块延伸的栅极虚拟线;与栅极线交叉的多条数据线;和设置在栅极虚拟线和数据线之间的有源层,其中,与栅极虚拟线交叠但是不与数据线交叠的有源层的一些部分被去除。
技术领域
本发明涉及一种显示装置,更具体地,涉及被设计成防止由显示装置制造工艺期间产生的静电或者由检查期间施加的电流导致的缺陷的显示装置。
背景技术
各种电设备都可通过使用平板显示装置诸如液晶显示装置、等离子体显示平板装置、场发射装置、电泳显示装置和有机发光二极管显示装置等为用户提供各种信息。
显示装置将自外部输入的视频信号转换成数据电压,并响应于数据电压显示关于多个像素中视频信号的图像。这些显示装置的每一个都包括基板,其中形成了薄膜晶体管(TFT)、布线和电路,电路包括连接至用于驱动显示装置的驱动集成电路(D-IC)的焊盘。这种基板称作阵列基板或者背板。
在用于显示装置的阵列基板制造工艺的各步骤期间会产生电荷。例如,在高压微喷射(HPMJ)清洗或者阵列基板制造工艺的其他各步骤期间会产生由于摩擦生电导致的电荷。而且,在干法蚀刻或其他各步骤期间静电会经由各种路径进入到基板。
在工艺期间进入的静电和工艺导致的电荷会被捕捉到显示基板上的有机或无机层上。结果,这影响了形成在阵列基板上的晶体管的电特性,引起显示装置中的显示缺陷。尤其是在有源区被分为多个驱动块(驱动块由来自单独驱动集成芯片(D-IC)或者驱动集成芯片的组合的信号驱动)的显示装置的情况下,由于被捕捉在基板上的有机或无机层上的电荷对于每一个驱动块都可能不同,因此会发生各种显示缺陷比如出现水平线。
为了避免这种缺陷,可执行各种附加工艺。例如,在包括使用硅半导体作为有源材料的晶体管的显示装置的情况下,可执行附加工艺比如空穴掺杂或塑化工艺以改善装置特性。
但是,在使用当前显示器中受到关注的氧化物半导体晶体管的阵列基板的情况下,用于稳定装置特性的附加工艺的使用受到限制。例如,掺杂氧化物半导体用于改善装置特性会引起阈值电压的负向漂移(negative shift)。而且,由于需要高温,因此装置特性稳定工艺会引起氧化物半导体中的氧空缺。
因此,包括多个驱动块且具有直接接合到基板的驱动集成芯片(D-IC)的显示装置会遭受由于驱动块之间的亮度差导致的缺陷,其中亮度差由在显示装置制造工艺期间产生或进入的电荷引起。
而且,由于栅极线和数据线彼此分开,因此在栅极线和数据线之间产生电荷差,这会增加将浮置杂质或有机杂质残余在栅极线顶部上或者栅极线和数据线之间的交叠部分上或者栅极线和源极/漏极之间的交叠部分上的可能性。
发明内容
本发明致力于解决上述问题,且本发明的一个方面是提供一种使用新型结构以克服或者最小化显示装置中缺陷的显示装置及其制造方法,其中缺陷由在显示装置的制造和检查工艺期间进入到显示装置的电流引起。
本发明的示范性实施方式提供了一种用于制造显示装置的方法,该方法包括:在基板上形成多个驱动块,所述多个驱动块包括多条栅极线和连接至所述多条栅极线的栅极短接结构;形成第一等位线,所述第一等位线连接相邻驱动块以在所述驱动块之间创建等电位;形成从所述多个驱动块的至少之一延伸的栅极虚拟线;在所述栅极虚拟线上形成有源层和多条数据线;通过去除部分数据线暴露出所述有源层的与所述栅极虚拟线交叠的一些部分;通过使得部分暴露的有源层导电来形成第二等位线,所述第二等位线创建在所述多条栅极线和所述多条数据线之间的等电位;通过去除部分第一等位线和部分栅极线作为修整区,消除在所述驱动块之间的等电位;和通过去除部分第二等位线,消除在所述多条栅极线和所述多条数据线之间的等电位。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造