[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，

包括：半导体基板；以及

第1场效应晶体管和第2场效应晶体管，

所述半导体基板具有：第1基体，包括第1区域和第2区域；

第1导电类型的第1半导体区域，形成在所述第1基体的所述第1区域上或者所述第1基体的所述第1区域的上层部；

绝缘层，形成在所述第1半导体区域上；以及

半导体层，形成在所述绝缘层上，

所述第1基体由硅构成，

所述第1半导体区域由碳化硅构成，

所述第1场效应晶体管形成在所述半导体层上，

所述半导体层、所述绝缘层和所述第1半导体区域被从所述第2区域去除，

所述第2场效应晶体管形成在所述第1基体的所述第2区域上。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第1半导体区域在所述第1基体上外延生长。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在所述第1半导体区域中导入所述第1导电类型的第1杂质，

所述第1半导体区域的厚度方向上的所述第1杂质的浓度分布在所述第1半导体区域的上表面与所述第1半导体区域的下表面之间具有峰值，

所述第1半导体区域的所述上表面的所述第1杂质的浓度以及所述第1半导体区域的所述下表面的所述第1杂质的浓度均小于所述峰值处的所述第1杂质的浓度的一半。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第1场效应晶体管具有：

第1栅极电极，在所述半导体层上隔着第1栅极绝缘膜而形成；

与所述第1导电类型相反的第2导电类型的第2半导体区域，形成于位于所述第1栅极电极的第1侧的部分的所述半导体层；以及

所述第2导电类型的第3半导体区域，形成于位于所述第1栅极电极的与所述第1侧相反的一侧的部分的所述半导体层，

所述第2场效应晶体管具有：

第2栅极电极，在所述第1基体的所述第2区域上隔着第2栅极绝缘膜而形成；

所述第2导电类型的第4半导体区域，形成于位于所述第2栅极电极的第1侧的部分的所述第1基体的所述第2区域；以及

所述第2导电类型的第5半导体区域，形成于位于所述第2栅极电极的与所述第1侧相反的一侧的部分的所述第1基体的所述第2区域。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

在所述第1半导体区域中导入所述第1导电类型的第2杂质，

所述第1导电类型是p型，

所述第2导电类型是n型，

所述第2杂质由硼构成。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述半导体基板具有在所述第1半导体区域上形成的第4半导体区域，

所述绝缘层在所述第1半导体区域上隔着所述第4半导体区域而形成，

所述第4半导体区域由硅构成。

7.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

所述第1场效应晶体管具有所述第2半导体区域上的第1半导体膜和所述第3半导体区域上的第2半导体膜，

所述第1半导体膜和所述第2半导体膜具有所述第2导体类型，

所述第1半导体膜的杂质浓度比所述第2半导体区域的杂质浓度高，

所述第2半导体膜的杂质浓度比所述第3半导体区域的杂质浓度高。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第1基体还包括在俯视时处于所述第1区域与所述第2区域之间的第3区域，

通过槽使所述第1区域、所述第2区域和第3区域彼此分离，所述槽在所述第1基体延伸且被充填有绝缘材料，

用于向所述第1半导体区域施加偏压的接触区域形成在第3区域上。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，

所述半导体层、所述绝缘层和所述第1半导体区域也被从所述第3区域去除。