[发明专利]一种CMOS晶体管及LTPS阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种CMOS晶体管的制作方法，其特征在于包括：

提供基板，在所述基板上形成沉积缓冲层，在所述沉积缓冲层上沉积非晶硅层；

将所述非晶硅层晶化为对应NMOS的第一多晶硅层以及对应PMOS的第二多晶硅层；

形成第一光阻层以覆盖所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层；

使用一次光罩对所述第一光阻层进行曝光，其中所述光罩对应所述第一多晶硅层的第一区域透光性大于所述光罩对应所述第二多晶硅层的第二区域透光性，并且所述第二区域面积小于所述第二多晶硅层面积；

对所述第一光阻层进行曝光后，所述第一多晶硅层上留下第一剩余光阻，所述第二多晶硅层上留下第二剩余光阻，所述第一剩余光阻的厚度小于第二剩余光阻的厚度，并且所述第一剩余光阻完全覆盖所述第一多晶硅层，所述第二剩余光阻覆盖所述第二多晶硅层的中部区域，暴露所述第二多晶硅层的两端；

进行第一程度掺杂，使得所述第二多晶硅层暴露的两端掺杂成功；

对进行第一程度掺杂后的所述第一剩余光阻、所述第二剩余光阻进行第一次清除，使得所述第一多晶硅层上的所述第一剩余光阻清除掉，所述第二多晶硅层上留下第三剩余光阻；

进行第二程度掺杂，使得所述第一多晶硅层掺杂成功，其中所述第二程度掺杂比所述第一程度掺杂的掺杂轻；

对进行第二程度掺杂后的所述第三剩余光阻进行第二次清除，使得所述第二多晶硅上的所述第三剩余光阻完全清除掉；

所述第一程度掺杂是对所述第二多晶硅层暴露在外的两端采用扩散或离子注入的方式进行硼的重掺杂，形成P沟道，进一步形成PMOS的欧姆接触层；

所述第二程度掺杂是采用扩散或离子注入的方式进行硼的轻掺杂，所述第二程度掺杂后在所述第一多晶硅层形成N沟道。

2.如权利要求1所述的CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述光罩对应所述第一多晶硅层第一区域的部分为半透膜，所述半透膜正好覆盖所述第一多晶硅层的第一区域；

所述光罩对应第二多晶硅层的第二区域部分为不透膜，所述不透膜覆盖所述第二多晶硅层的第二区域的中间部分；

所述光罩除去所述第一区域及所述第二区域的剩余部分为全透膜。

3.如权利要求1所述的CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一次清除是利用氧烧光阻进行灰化；

所述第二次清除是利用氧烧光阻进行灰化。

4.如权利要求1所述的CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述沉积缓冲层的材料包括氮化硅、氧化硅或两者的组合。

5.如权利要求1所述的CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，将所述非晶硅层晶化为所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层的步骤包括在非晶硅层上沉积氧化硅层以及对氧化硅进行准分子激光退火处理。

6.一种低温多晶硅阵列基板的制作方法，包含权利要求1的CMOS晶体管的制作方法，其特征在于包括：

在所述沉积缓冲层，所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层上沉积并形成栅极绝缘层；

所述栅极绝缘层覆盖所述第一多晶硅层及所述第二多晶硅层；

在所述栅极绝缘层上对应第一多晶硅层、第二多晶硅层上方分别沉积形成对应第一多晶硅层的第一栅极、及对应第二多晶硅层的第二栅极；

对所述栅极绝缘层进行光刻，利用光刻后的第一栅极作为掩模板向所述第一多晶硅层进行第三程度掺杂；

在所述栅极绝缘层上形成层间绝缘层，并在所述栅极绝缘层与层间绝缘层上对应于所述第一多晶硅层两端的上方形成第一过孔，在所述第二多晶硅层两端的上方形成第二过孔；

在所述第一过孔及第二过孔中形成第一源/漏极、及第二源/漏极；

所述第一源/漏极与第二源/漏极分别经由过孔与所述第一多晶硅层的两端与所述第二多晶硅层的两端相接触。

7.如权利要求6所述的低温多晶硅阵列基板的制作方法，其特征在于，所述进行第三程度掺杂是采用扩散或离子注入的方式进行磷的重掺杂。

8.如权利要求6所述的低温多晶硅阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一栅极、及第二栅极的材料是钼、钛、铝和铜中的一种或多种的堆栈组合。