[发明专利]一种CMOS晶体管及LTPS阵列基板的制作方法

说明书

本发明公开一种CMOS晶体管的制作方法，包括：首先在基板上依次形成沉积缓冲层和非晶硅层，然后将非晶硅层晶化为对应NMOS的第一多晶硅层和对应PMOS的第二多晶硅层。对多晶硅层进行光阻覆盖，利用一次光罩进行曝光，使该光罩对应于第一多晶硅层的第一区域透光性大于该光罩对应第二多晶硅层的第二区域透光性，并且第二区域面积小于第二多晶硅层面积。对曝光后裸露在外的第二多晶硅层两端进行第一程度掺杂。清除光阻使第一多晶硅层裸露，对裸露的第一多晶硅层进行第二程度掺杂。清除剩余光阻。本发明还公开了一种LTPS阵列基板的制作方法。通过上述方式，本发明减少操作流程，从而降低LTPS的生产成本。

技术领域

本发明涉及LTPS阵列基板领域，特别涉及一种CMOS晶体管的制作方法及LTPS阵列基板的制作方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin-Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)可分为多晶硅(Poly-Si)技术与非晶硅(a-Si)技术，两者的差异在于电晶体特性不同。多晶硅的分子结构在一颗晶粒中的排列状态是整齐而有方向性的，电子迁移率比排列杂乱的非晶硅快一百倍以上，因此以多晶硅为基础制备的TFT器件具有响应速度快，液晶显示图像数据的写入时间短，更易于实现视频显示的特点。

目前低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)技术为新一代薄膜晶体管液晶显示器的制造技术。LTPS技术将外围驱动电路如CMOS类器件等同时制作在玻璃基板上，可节省空间及驱动IC的成本。CMOS晶体管主要由NMOS和PMOS器件组成，在目前业界CMOS晶体管的制作过程中，NMOS器件的硼掺杂和PMOS器件的源/漏极硼掺杂各需一道光罩，所以总共需要两道光罩制程完成。所需步骤包括：

首先在PMOS器件和NMOS器件上形成光阻，利用光罩进行曝光使PMOS器件上方的光阻保留，NMOS器件裸露，对NMOS器件进行硼掺杂形成N沟道。

然后将NMOS器件进行遮挡，利用光罩对PMOS器件上方的光阻曝光，露出PMOS器件，此时PMOS器件上方已形成栅极，栅极遮挡住中间部分使两端的源/漏极暴露，对两端进行硼掺杂形成PMOS的欧姆接触层。

LTPS阵列基板的制作过程需要多道光罩工艺，而上述方法采用两道光罩工艺来完成NMOS通道的硼轻掺杂、及PMOS通道源/漏极的硼重掺杂，无疑增加了工艺的复杂度，不利于生产成本的降低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种新的CMOS晶体管的制作方法和LTPS阵列基板制作方法，通过减少工艺流程来降低生产的复杂度，解决传统方法生产成本高的问题。

为实现上述目的，本发明提供一种CMOS晶体管的制作方法，流程如下：

第一步，提供基板，在基板上形成沉积缓冲层，在沉积缓冲上沉积非晶硅层。

第二步，将非晶硅层晶化为对应NMOS的第一多晶硅层以及对应PMOS的第二多晶硅层。

第三步，形成第一光阻层以覆盖第一多晶硅层和第二多晶硅层，使用一次光罩对第一光阻层进行曝光，其中该光罩对应第一多晶硅层的第一区域透光性大于光罩对应第二多晶硅层的第二区域透光性，并且第二区域面积小于第二多晶硅层面积。

对第一光阻层进行曝光后，第一多晶硅层上留下第一剩余光阻，第二多晶硅层上留下第二剩余光阻，第一剩余光阻的厚度小于第二剩余光阻的厚度，并且第一剩余光阻完全覆盖第一多晶硅层，第二剩余光阻覆盖第二多晶硅层的中部区域，暴露第二多晶硅层的两端。

第四步，进行第一程度掺杂，使得第二多晶硅层暴露的两端掺杂成功。

第五步，对进行第一程度掺杂后的第一剩余光阻、第二剩余光阻进行第一次清除，使得第一多晶硅层上的第一剩余光阻清除掉，第二多晶硅层上留下第三剩余光阻。