[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，该方法包括：

在衬底基板上依次形成源漏电极引出线和钝化层；

在对所述钝化层进行构图工艺形成过孔的同时，对所述钝化层与所述源漏电极引出线所对应的区域进行减薄处理，使减薄处理后的所述钝化层与所述源漏电极引出线所对应的区域高于其他区域的表面；

其中，在对所述钝化层进行构图工艺形成过孔的同时，对所述钝化层与所述源漏电极引出线所对应的区域进行减薄处理，使所述钝化层与所述源漏电极引出线所对应的区域高于其他区域的表面，包括：

在所述钝化层上形成光刻胶层；

采用掩膜板图形对所述光刻胶层进行曝光显影，形成光刻胶部分保留区域、光刻胶完全去除区域和光刻胶完全保留区域，其中所述光刻胶部分保留区域与所述源漏电极引出线相对应，所述光刻胶完全去除区域与钝化层中用于形成过孔的区域相对应；

对钝化层与所述光刻胶完全去除区域所对应的区域进行减薄处理；

去除光刻胶部分保留区域的光刻胶；

对钝化层与所述光刻胶部分保留区域所对应的区域进行减薄处理，同时完全去除钝化层与所述光刻胶完全去除区域所对应的区域，形成所述过孔；

其中，对钝化层与所述光刻胶完全去除区域所对应的区域进行减薄处理，包括：

刻蚀钝化层与所述光刻胶完全去除区域所对应的区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，刻蚀后的钝化层与所述光刻胶完全去除区域所对应的区域的厚度是其他区域的厚度的1/4～1/3。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对钝化层与所述光刻胶部分保留区域所对应的区域进行减薄处理，包括：

刻蚀钝化层与所述光刻胶部分保留区域所对应的区域。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法还包括：

剥离所述光刻胶完全保留区域的光刻胶。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜板为半色调掩膜板、灰色调掩膜板或具有狭缝的掩膜板。

6.一种利用权利要求1-5任一权项所述的阵列基板的制作方法制作的阵列基板，所述阵列基板包括依次形成在衬底基板上的源漏电极引出线和钝化层，其特征在于，所述钝化层与所述源漏电极引出线所对应的区域高于其他区域的表面，且所述钝化层与所述源漏电极引出线所对应的区域的厚度小于其他区域的厚度。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层与所述源漏电极引出线所对应的区域的厚度是其他区域的厚度的2/3～3/4。

8.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求6或7任一权项所述的阵列基板。