[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示面板系统领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板。

背景技术

ADS产品是显示领域一种宽视角技术，HADS技术是ADS技术基础上针对移动(Mobile)产品的技术。

HADS产品针对移动产品，一般需要较高的开口率。参见图1所示，一般显示面板的阵列基板中包括：位于形成在衬底基板21上的栅绝缘层22、有源层23、源漏极引出线24和钝化层15，以及与源漏极引出线24同层设置的第一透明导电层27，其中，有源层23包括非晶硅(a-Si)，且源漏电极引出线24(S/D)采用半色调掩膜(half-tone mask)工艺制作完成，且一般地，S/D下面的有源层23为2000埃。这样再加上源漏电极引出线24自身的厚度，使得钝化层15与源漏电极引出线所对应的区域比其他区域的表面高出5950埃。当在进行rubbing的时候背向rubbing方向的源漏电极层侧rubbing的程度比较弱影响液晶的偏转而产生漏光。目前，为了避免漏光，通常需要加大挡光区BM的尺寸来减少漏光，但是相应地会增加了显示面板的开口率。

因此，现有技术中，在阵列基板制作工艺结束后，会因为源漏电极引出线两侧与源漏电极引出线上表面之间的落差比较大，使得源漏电极引出线背向rubbing方向rubbing的程度比较弱，导致有漏光现象，且通过增加BM的宽度来避免漏光现象，却减小了显示面板的开口率。

发明内容

本发明实施例提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板，用以减小钝化层与源漏电极引出线两侧所对应的区域和钝化层与该源漏电极引出线上表面所对应的区域之间的落差，从而提高开口率。

本发明提供了一种阵列基板的制作方法，该方法包括：

在衬底基板上依次形成源漏电极引出线和钝化层；

在对所述钝化层进行构图工艺形成过孔的同时，对所述钝化层与所述源漏电极引出线所对应的区域进行减薄处理，使减薄处理后的所述钝化层与所述源漏电极引出线所对应的区域高于其他区域的表面。

通过本发明实施例提供的阵列基板的制作方法，首先在衬底基板上依次形成源漏电极引出线和钝化层，然后在对该钝化层进行构图工艺形成过孔的同时，对该钝化层与源漏电极引出线所对应的区域进行减薄处理，使得减薄处理后的钝化层与源漏电极引出线所对应的区域高于其他区域。因此，钝化层与源漏电极引出线两侧所对应的区域的厚度大于钝化层与源漏电极引出线上表面所对应的区域的厚度，使得两者之间的落差减小，从而减少了源漏电极引出线两侧与该源漏电极引出线上表面之间的落差，使得源漏电极引出线背向rubbing方向rubbing的程度增强，防止了漏光现象，因此不需要增加BM宽度来避免漏光，从而增加了显示面板的开口率。

较佳地，在对所述钝化层进行构图工艺形成过孔的同时，对所述钝化层与所述源漏电极引出线所对应的区域进行减薄处理，使所述钝化层与所述源漏电极引出线所对应的区域高于其他区域的表面，包括：

在所述钝化层上形成光刻胶层；

采用掩膜板图形对所述光刻胶层进行曝光显影，形成光刻胶部分保留区域、光刻胶完全去除区域和光刻胶完全保留区域，其中所述光刻胶部分保留区域与所述源漏电极引出线相对应，所述光刻胶完全去除区域与钝化层中用于形成过孔的区域相对应；

对钝化层与所述光刻胶完全去除区域所对应的区域进行减薄处理；

去除光刻胶部分保留区域的光刻胶；

对钝化层与所述光刻胶部分保留区域所对应的区域进行减薄处理，同时完全去除钝化层与所述光刻胶完全去除区域所对应的区域，形成所述过孔。

在形成钝化层的过孔的同时，对钝化层与源漏电极引出线所对应的区域进行减薄处理，使得在没有增加工艺流程的前提下，避免了阵列基板的漏光现象，且简化了工艺流程。

较佳地，对钝化层与所述光刻胶完全去除区域所对应的区域进行减薄处理，包括：

刻蚀钝化层与所述光刻胶完全去除区域所对应的区域。

较佳地，刻蚀后的钝化层与所述光刻胶完全去除区域所对应的区域的厚度是其他区域的厚度的1/4～1/3。

为了防止钝化层与源漏电极引出线所对应的区域低于钝化层的其他区域的表面，可以减小到其他区域的厚度的2/3～3/4为最佳，因此在钝化层与过孔所对应的区域需要先刻蚀掉的厚度为其他区域的1/4～1/3。

较佳地，对钝化层与所述光刻胶部分保留区域所对应的区域进行减薄处理，包括：

刻蚀钝化层与所述光刻胶部分保留区域所对应的区域。