[发明专利]一种基于三唑类配体的原子簇聚合物及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种原子簇聚合物。更具体地说，本发明涉及一种基于三唑类配体的原子簇聚合物及其制备方法。

背景技术

近几年来，合成结构新颖的原子簇聚合物，特别是高维原子簇聚合物已经成为研究的主题，不仅因为它们新颖的骨架结构和拓扑结构，也由于这些配位原子簇聚合物在催化、离子交换、非线性光学和化学吸收等方面有潜在的应用价值。

基于三唑类配体的原子簇聚合物鲜有报道。

发明内容

作为各种广泛且细致的研究和实验的结果，本发明的发明人已经发现，以[MS₄]^2-(M＝Mo，W)和CuX为分子构造单元，含吡啶基团的有机配体作为连接器合成多维的Mo(W)/S/Cu原子簇聚合物，以期得到具有多孔结构的三维W(Mo)/S/Cu原子簇聚合物。基于这种发现，完成了本发明。

本发明的一个目的是解决至少上述问题和/或缺陷，并提供至少后面将说明的优点。

为了实现根据本发明的这些目的和其它优点，提供了一种基于三唑类配体的原子簇聚合物，其至少含有一个[MS₄Cu₄]²⁺构造单元、一个4-氨基-3,5-二(4-吡啶基)-1,2,4-三氮唑(4-abpt)V型多齿有机配体及两个CN^-配体；

其中，M为W或Mo，4-abpt为4-氨基-3,5-二(4-吡啶基)-1,2,4-三氮唑；构造单元[WS₄Cu₄]²⁺中每个Cu原子通过桥联配体CN^-连接四个簇单元[WS₄Cu₄]²⁺自锁形成三维孔道结构，V型多齿有机配体4-abpt填充在孔道内。

优选的是，其中，所述原子簇聚合物为[WS₄Cu₄(CN)₂(4-abpt)]_n。

优选的是，其中，所述原子簇聚合物[WS₄Cu₄(CN)₂(4-abpt)]_n晶体参数为：

所述原子簇聚合物[WS₄Cu₄(CN)₂(4-abpt)]_n属三方晶系，空间群为P3(2)21。

优选的是，其中，所述原子簇聚合物为[MoS₄Cu₄(CN)₂(4-abpt)·CH₃CN]_n。

优选的是，其中，所述原子簇聚合物[MoS₄Cu₄(CN)₂(4-abpt)·CH₃CN]_n晶体参数为：

所述原子簇聚合物为[MoS₄Cu₄(CN)₂(4-abpt)·CH₃CN]_n属三方晶系，空间群为P3(2)21。

在W(Mo)/S/Cu原子簇聚合物的合成中，三维W(Mo)/S/Cu原子簇聚合物主要以[MS₄]^2-(M＝Mo,W)和CuX为分子构造单元。

由于W(Mo)/S/Cu体系中大多数原子簇聚合物的热稳定性不好，使得溶剂热方法长期被忽视。但是最近一些研究表明，有些具有二维或者三维新奇结构的簇合物通过溶剂热法合成，因此此方法有望进一步推广。

为了对上述原子簇聚合物进行进一步说明，本文还示出制备所述基于三唑类配体的原子簇聚合物的方法，即溶剂热一步合成法，具体为：

向反应釜中加入34.8mg[NH₄]₂MS₄、27.3mgCuCN、25.7mgEt₄NI、47.6mg4-abpt、5mlDMF及5mlMeCN,在常温下搅拌30min，得到悬浊液，然后密封在不锈钢的容器里，置于烘箱中，加热至90℃，待反应36h后关闭烘箱冷却至常温，反应釜的内壁上有晶体析出，即制得上述的原子簇聚合物；