[发明专利]用于光传感器的光电组件及其制作方法有效
| 申请号： | 201510620836.6 | 申请日： | 2015-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN106558635B | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 吴瑞钦;孙国升 | 申请（专利权）人： | 凌巨科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司44217 | 代理人： | 郭伟刚 |
| 地址： | 中国台湾苗栗*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 传感器 光电 组件 及其 制作方法 | ||
1.一种用于光传感器的光电组件的制作方法，其特征在于，包含步骤：
提供一第一金属层(11)；
设置一半导体层(13)于所述第一金属层(11)上，所述半导体层(13)包括二极管；
设置一透明导电层(15)于所述半导体层(13)上；
氧化所述半导体层(13)的侧壁，反应形成一阻隔区(131)。
2.如权利要求1所述的用于光传感器的光电组件的制作方法，其特征在于，在氧化的步骤中，通入氧气并使用电浆使氧气形成氧离子。
3.如权利要求1所述的用于光传感器的光电组件的制作方法，其特征在于，在氧化的步骤中，调整工作压力低于50帕。
4.如权利要求1所述的用于光传感器的光电组件的制作方法，其特征在于，在氧化的步骤中，施加功率至少1200瓦特。
5.如权利要求1所述的用于光传感器的光电组件的制作方法，其特征在于，在氧化的步骤之前，图案化所述透明导电层(15)。
6.如权利要求1所述的用于光传感器的光电组件的制作方法，其特征在于，在氧化的步骤之前，图案化所述半导体层(13)。
7.如权利要求6所述的用于光传感器的光电组件的制作方法，其特征在于，在图案化所述半导体层(13)的步骤中，调整氧化速率为每分钟900-1100埃。
8.一种用于光传感器的光电组件，其特征在于，其包含：
第一金属层(11)；
半导体层(13)，设置于所述第一金属层(11)上，且所述半导体层(13)的侧壁具有阻隔区(131)，所述半导体层(13)包括二极管；
透明导电层(15)，设置于所述半导体层(13)上。
9.如权利要求8所述的用于光传感器的光电组件，其特征在于，所述阻隔区(131)为氧化物。
10.如权利要求8所述的用于光传感器的光电组件，其特征在于，所述透明导电层(15)设置于所述半导体层(13)及所述阻隔区(131)上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于凌巨科技股份有限公司，未经凌巨科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510620836.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
