[发明专利]用于光传感器的光电组件及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及用于光传感器的光电组件领域，更具体地说，涉及一种具有阻隔区之光电组件。

背景技术

在光学应用系统中，常常使用外界光源所包含各种不同波长波段的光来做各式各样不同种类的应用，例如感测光波长380nm～760nm的可见光传感器、或者是红外线波长范围的红外线传感器、紫外线范围的紫外线传感器、发射一光波长并接收其光波长反射后的光信息来达到量测距离目的的距离传感器与光纤光信号传递的传感器等等，均是对外界光源加以应用之光感测装置，以将光信号转换成电信号。一般在光传感器领域之中，其主要可分为晶体管与二极管两大单元，其中的动作原理是透过外界光照射至二极管进而产生电流，而其所输出的电流会再经由二极管后段所设置的晶体管放大至数倍，以产生较强的信号。惟因二极管的电气特性及光传感器的电性连接结构，易有漏电流自二极管漏出至晶体管而造成输出质量下降，故在常用的光传感器结构中，又有改善二极管漏电流的方法。常用改善二极管漏电流的方法通常是于二极管之上以化学气相沉积方式沉积氧化硅(SiOx)绝缘薄膜层，然而采用此种方式将会使得光传感器的整体制程多增加一道化学气相沉积，而造成制程的增加。

承上述，以往传感器技术领域上系在整体制程上增加一道化学气相沉积制程来沉积氧化硅(SiOx)薄膜来防止漏电流，此制程中于沉积氧化硅形成氧化硅薄膜后需再图案化该氧化硅薄膜，此步骤在最后蚀刻光阻时可能会进一步对原本已沉积的二极管造成损害。故此常用技术虽然改善了漏电流的问题，却增加了光传感器的制程，且其增加的制程更可能损害既有二极管结构，进而影响良率。

有鉴于此，本发明提出了一种崭新的用于光传感器的光电组件结构及其制作方法，通过在图案化二极管的制程中，于该图案化步骤后氧化该二极管侧表面，令二极管侧表面形成氧化硅(SiOx)层，便能有效改善前述二极管易产生漏电流的问题，如此不但不需要额外新增一道步骤来制作氧化硅层，也避免了二极管遭受损害的风险，进而可以维持住原始的高良率。

发明内容

本发明的一目的，在于提供一种用于光传感器之光电组件，通过设置一阻隔区来改善光传感器中的漏电流产生。

本发明的一目的，在于提供一种用于光传感器之光电组件及其制作方法，通过通入氧气并使用电浆游离氧气，使半导体层的侧壁氧化形成一阻隔区，而不须新增额外制程。

为达上述之目的及功效，本发明提出一种光电组件，包含第一金属层，半导体层，阻隔区以及透明导电层，该半导体层设于该第一金属层上，该阻隔区设于该半导体层的侧壁，该透明导电层设于该半导体层上，本发明透过该阻隔区，使该光电组件应用于光传感器上时具有防止漏电流产生的功效。该阻隔区是在图案化该半导体层的制程中，在图案化该半导体层的步骤后氧化形成。

本发明的一实施例在于，在氧化的步骤中，通入氧气并使用电浆使氧气形成氧离子。

本发明的一实施例在于，在氧化的步骤中，调整工作压力低于50帕。

本发明的一实施例在于，在氧化的步骤中，施加功率至少1200瓦特。

本发明的一实施例在于，在氧化的步骤之前，图案化该透明导电层。

本发明的一实施例在于，在氧化的步骤之前，图案化该半导体层。

本发明的一实施例在于，在图案化该半导体层的步骤中，调整氧化速率为每分钟900-1100埃。

本发明的一实施例在于，该阻隔区为氧化物。

本发明的一实施例在于，该透明导电层设置于该半导体层及该阻隔区之上。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：

图1为本发明的第一实施例的结构示意图；

图2A至图2C为本发明的第一实施例的步骤流程图；

图3为本发明的第一实施例的传感器结构示意图；

图4为本发明的第一实施例的应用示意图；

图5A至图5D为本发明的第二实施例的步骤流程图。

具体实施方式

为了对本发明的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图详细说明本发明的具体实施方式。

本发明的目的在于：有鉴于先前技术中光传感器中的光电组件在接受外界光照射时，其所产生之电流会由半导体层之侧壁处产生出漏电流，进而影响到光传感器的电性，故本发明通过在光电组件的半导体层上反应形成一阻隔区，以阻绝电流由侧壁处流出。