[发明专利]薄膜彼此的热熔接接合方法以及光学薄膜的制造方法

权利要求书

1.一种薄膜彼此的热熔接接合方法，将带状的第1薄膜的后端部与带状的第2薄膜的前端部予以重合并热熔接接合，其特征在于，包括：

面压施加工序，将所述第1薄膜与所述第2薄膜的接合区域部分予以重合，并利用在该接合区域部分的两侧相对向配置的吸引箱彼此的平坦的吸附面加以包夹，从而对所述重合部分的两面施加面压，所述面压施加工序不以所述吸引箱进行吸引；

离开移动工序，在施加所述面压之后，使所述第1薄膜及所述第2薄膜由所述各吸引箱的吸附面吸引保持，并使该吸引箱彼此向所述重合部分离开的方向移动；

切割工序，在使所述第1薄膜及所述第2薄膜离开的状态下切割各薄膜，以在所述第1薄膜及所述第2薄膜的所述接合区域部分形成所述后端部与所述前端部；以及

热熔接工序，使所述吸引箱彼此接近移动，对由所述形成的第1薄膜的后端部和第2薄膜的前端部重合而成的接合部进行热熔接，从而将薄膜彼此接合。

2.根据权利要求1所述的薄膜彼此的热熔接接合方法，其特征在于，热熔接工序，对所述第1薄膜的后端部和所述第2薄膜的前端部的由所述吸引箱彼此夹着的所述接合部进行热熔接，从而将薄膜彼此接合。

3.根据权利要求1所述的薄膜彼此的热熔接接合方法，其特征在于，还包括：

重合宽度调整工序，在所述切割工序与所述热熔接工序之间，使所述吸引箱彼此沿薄膜长度方向移动，以对由所述第1薄膜的后端部与所述第2薄膜的前端部重合而成的接合部的重合宽度进行调整。

4.根据权利要求1所述的薄膜彼此的热熔接接合方法，其特征在于，还包括：

第1薄膜搬送工序，将所述第1薄膜从卷绕支撑使用中的旧卷的第1卷轴通过所述吸引箱之间而搬送至对该第1薄膜实施所需处理的薄膜延伸处理部；

第2薄膜抽出工序，将所述第2薄膜从卷绕支撑接下来要使用的新卷的第2卷轴抽出至所述吸引箱彼此之间；以及

储放工序，将与对所述第1薄膜及第2薄膜进行热熔接接合的所需时间相当的长度的第1薄膜储放至设在所述吸引箱与所述薄膜延伸处理部之间的储槽内，可一边停止所述第1薄膜的搬送以进行热熔接，一边将所述第1薄膜供给至所述薄膜延伸处理部。

5.根据权利要求1所述的薄膜彼此的热熔接接合方法，其特征在于，

所述吸引箱的吸附面的摩擦系数为4以下。

6.根据权利要求1所述的薄膜彼此的热熔接接合方法，其特征在于，

所述吸引箱的吸附面是由聚四氟乙烯形成。

7.根据权利要求1所述的薄膜彼此的热熔接接合方法，其特征在于，

在所述接合区域部分的两侧，分别固定配置辅助吸引箱，所述辅助吸引箱的吸附面与所述吸引箱的吸附面在相同平面，且所述辅助吸引箱的吸附面的摩擦系数比所述吸引箱的吸附面的摩擦系数小，

在从所述切割工序至所述热熔接工序之间的步骤中，以不会妨碍所述热熔接的方式来吸引保持所述切割的第1薄膜及第2薄膜的切割端附近。

8.根据权利要求3所述的薄膜彼此的热熔接接合方法，其特征在于，

所述重合宽度调整工序是在使所述相对向配置的吸引箱彼此的距离比所述切割工序更接近的状态下进行。

9.根据权利要求1所述的薄膜彼此的热熔接接合方法，其特征在于，

所述第1薄膜及所述第2薄膜是光学薄膜制造用的聚乙烯醇系薄膜。

10.根据权利要求1所述的薄膜彼此的热熔接接合方法，其特征在于，

在所述面压施加工序中，以0.2MPa～0.8MPa来对所述接合区域部分进行加压。

11.根据权利要求1所述的薄膜彼此的热熔接接合方法，其特征在于，

在所述热熔接工序中，以所述接合部的第1薄膜及第2薄膜各自的端部中的未进行所述热熔接的未熔接区域为1.5mm以下的方式来进行热熔接。

12.根据权利要求1所述的薄膜彼此的热熔接接合方法，其特征在于，

在所述热熔接工序中，热熔接的区域相对于与所述薄膜长度方向正交的方向的倾斜角度为20°以上60°以下的范围。