[发明专利]具有源极/漏极的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510622878.3 | 申请日： | 2015-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN105470305B | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 杨昌宰;前田茂伸;金昶和;崔永文 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有源 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
衬底；
有源鳍，其从所述衬底突起并且沿着一个方向延伸；
栅极结构，其与所述有源鳍的第一区域交叉；以及
源极/漏极，其布置在所述有源鳍的第二区域上，
其中所述源极/漏极包括上表面和竖直侧表面，所述竖直侧表面实质上平行于所述有源鳍的侧表面；
所述有源鳍的第一区域的上表面与所述有源鳍的第二区域的上表面共面；
通过从所述有源鳍的侧表面和上表面进行晶体生长来形成所述源极/漏极；
所述衬底为{100}/<110>衬底，所述有源鳍的侧表面为{110}表面，并且所述有源鳍的上表面为{100}表面；并且
所述源极/漏极的侧表面为{110}表面，并且所述源极/漏极的上表面为{111}表面。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括覆盖所述源极/漏极的侧表面和上表面的辅助接触层。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述辅助接触层为包括WSi2、MoSi2、TiSi2和CoSi2中的至少一种的硅化物层。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括与所述辅助接触层接触的源极/漏极接触件。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述辅助接触层介于所述源极/漏极接触件与所述源极/漏极的各个上表面之间。
6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述辅助接触层介于所述源极/漏极接触件与所述源极/漏极的各个上表面和各个侧表面之间。
7.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述辅助接触层介于所述源极/漏极接触件与所述源极/漏极的各个上表面和一个侧表面之间。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述有源鳍的末端部分是圆形。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述栅极结构包括沿所述有源鳍的侧表面和上表面布置的栅电介质层、沿所述栅电介质层布置的栅电极、以及布置在所述栅电极的侧表面上的间隔件。
10.一种半导体器件，包括：
衬底；
有源鳍，其从所述衬底突起并且沿着一个方向延伸；
栅极结构，其与所述有源鳍的第一区域交叉；以及
源极/漏极，其布置在所述有源鳍的第二区域上，
其中所述源极/漏极包括上表面和竖直侧表面，所述竖直侧表面实质上平行于所述有源鳍的侧表面；
所述有源鳍的第一区域的上表面与所述有源鳍的第二区域的上表面共面；
通过从所述有源鳍的侧表面和上表面进行晶体生长来形成所述源极/漏极；
所述衬底为{110}/<110>衬底，所述有源鳍的侧表面为{100}表面，并且所述有源鳍的上表面为{110}表面；
所述源极/漏极的侧表面为{100}表面，并且所述源极/漏极的上表面为{111}表面。
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