[发明专利]具有源极/漏极的半导体器件及其制造方法

说明书

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。根据本发明的一个示例实施例，该半导体器件以如下方式提供。有源鳍从衬底突起，沿着一个方向延伸。栅极结构与该有源鳍的第一区域交叉。源极/漏极布置在该有源鳍的第二区域上。该源极/漏极包括上表面及竖直侧表面。竖直侧表面实质上平行于有源鳍的侧表面。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2014年9月29日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2014-0130492的优先权，该申请的公开以引用方式全文并入本文中。

技术领域

本发明构思涉及一种具有源极/漏极的半导体器件及其制造方法。

背景技术

近来，半导体器件在移动装置中用于存储。对于这样的应用，要使半导体器件最小化，以实现薄而轻便的移动装置。

半导体器件尺寸的减小会导致由源极/漏极的过度侧向生长造成的有源鳍的相邻源极/漏极相互接触。这会导致由电流路径的增大和接触面积的减小带来的电阻的增大。

发明内容

根据本发明构思的一个示例性实施例，提供一种半导体器件如下。有源鳍从衬底突起，沿着一个方向延伸。栅极结构与该有源鳍的第一区域交叉。源极/漏极布置在该有源鳍的第二区域上。该源极/漏极包括上表面以及竖直侧表面。竖直侧表面实质上平行于有源鳍的侧表面。

根据本发明构思的一个示例性实施例，提供一种半导体器件如下。衬底具有包括第一区域和第二区域的有源鳍。栅电极与有源鳍的第一区域交叉，该栅电极覆盖有源鳍的第一区域的至少一侧。与栅电极相邻的源极/漏极布置在有源鳍的第二区域上。插塞连接至源极/漏极。源极/漏极包括上表面和竖直侧表面。竖直侧表面实质上平行于有源鳍的侧表面。

根据本发明构思的一个示例性实施例，提供了一种半导体器件。多个有源鳍彼此分离。每个有源鳍从衬底突起并与其他有源鳍平行地延伸。栅电极与多个有源鳍交叉。每个源极/漏极布置在多个有源鳍的相应有源鳍的一部分上。栅电极不与每个有源鳍的所述部分交叉。每个辅助接触层围绕相应的源极/漏极。每个源极/漏极包括上表面以及位于与相应有源鳍的侧表面相对的方向上的竖直侧表面。

根据本发明构思的一个示例性实施例，提供一种制造半导体器件的方法如下。形成从衬底突起并沿着一个方向延伸的有源鳍。形成栅极结构，使其与有源鳍的第一区域交叉。利用晶体生长将源极/漏极形成在有源鳍的第二区域上，从而使源极/漏极包括上表面和侧表面。所述侧表面实质上平行于有源鳍的侧表面。

根据本发明构思的一个示例性实施例，提供一种半导体器件如下。第一有源鳍邻近第二有源鳍。栅极结构与第一有源鳍和第二有源鳍交叉。第一源极/漏极布置在第一有源鳍的上部之上。第二源极/漏极布置在第二有源鳍的上部之上。第二源极/漏极与第一源极/漏极分离。源极/漏极接触件沿着栅极结构延伸而布置在第一源极/漏极和第二源极/漏极上。第一源极/漏极的第一竖直侧表面实质上平行于第二源极/漏极的第二竖直侧表面。第一竖直侧表面与第二竖直侧表面相对。

附图说明

通过参照附图对本文的示例性实施例进行详细描述，本发明构思的以上和其他特征将变得更加清楚，其中：

图1是根据本发明构思的一个示例性实施例的半导体器件的透视图；

图2是图1沿着Y方向的线I-I’截取的剖视图；

图3是图1沿着X方向的线II-II’截取的剖视图；

图4是根据本发明构思的一个示例性实施例的暴露出源极/漏极的图1的半导体器件的透视图；

图5A至图5E是根据本发明构思的一个示例性实施例的半导体器件的源极/漏极接触件与辅助接触层之间的多种不同的接触形式的剖视图；