[发明专利]一种TEM样品的定位方法在审
| 申请号： | 201510623479.9 | 申请日： | 2015-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN105352768A | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 陈强;高林;史燕萍 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 tem 样品 定位 方法 | ||
1.一种TEM样品的定位方法，其特征在于，包括：
步骤1：提供具有重复单元结构的产品，并确定该产品上的失效单元的位置；
步骤2：在产品表面制作与所述失效单元对应的定位标记和警示标记；
步骤3：在所述失效单元上方沉积第一金属保护层，所述第一金属保护层部分覆盖所述定位标记和警示标记；
步骤4：在所述第一金属保护层上沉积第二金属保护层；
步骤5：根据所述定位标记和警示标记切割产品制备TEM样品。
2.如权利要求1所述的TEM样品的定位方法，其特征在于，所述步骤2中，定位标记和警示标记均为线状。
3.如权利要求1或2所述的TEM样品的定位方法，其特征在于，使用FIB制作所述定位标记和警示标记。
4.如权利要求2所述的TEM样品的定位方法，其特征在于，所述步骤2包括：
步骤21：制作线状定位标记，所述线状定位标记与所述失效单元处于同一直线上，且所述线状定位标记的一端与所述失效单元距离多个重复单元；
步骤22：制作线状警示标记，所述线状警示标记与所述线状定位标记平行设置，且距离所述线状定位标记一个或多个重复单元。
5.如权利要求1所述的TEM样品的定位方法，其特征在于，通过FIB电子束辅助沉积所述第一金属保护层，离子束辅助沉积第二金属保护层。
6.如权利要求1所述的TEM样品的定位方法，其特征在于，所述第一、第二金属保护层均采用金属铂。
7.如权利要求1所述的TEM样品的定位方法，其特征在于，所述步骤5包括：
步骤51：切割产品到警示标记后停下；
步骤52：继续切割产品到定位标记处，完成TEM样品的第一面切割；
步骤53：根据定位标记的位置，进行TEM样品第二面的切割。
8.如权利要求7所述的TEM样品的定位方法，其特征在于，所述步骤51中切割产品的电流强度为3000～500pA，所述步骤52中切割产品的电流强度为300～100pA。
9.如权利要求1所述的TEM样品的定位方法，其特征在于，所述具有重复单元结构的产品为SRAM晶圆阵列、DRAM晶圆阵列、FLASH晶圆阵列或CT阵列。
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