[发明专利]一种TEM样品的定位方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路制造领域，特别涉及一种TEM样品的定位方法。

背景技术

TEM(TransmissionElectronMicroscope，简称透射电镜)是一种非常重要的材料分析手段。特别是随着半导体集成电路工艺持续的开发，特征尺寸从微米级别逐渐发展到现在的纳米级别，TEM已经取代SEM(扫描电子显微镜)成为集成电路材料/结构分析的主要工具。

一般情况下，在具有特殊结构的产品上面制备TEM样品，后续在TEM样品上观察目标结构都是比较容易的。但是，对于某些具有大量重复的小尺寸单元结构的产品，如图1和图2所示，即使制样前能够通过电压衬度等方式定位到失效单元100，但在制样过程中或制样完成后却很难确认失效单元100的位置，从而造成制样效率低下，甚至可能分析到错误的重复单元上去，而影响分析结果。

发明内容

本发明提供一种TEM样品的定位方法，从而对重复单元结构进行准确定位。

为解决上述技术问题，本发明提供一种TEM样品的定位方法，包括：

步骤1：提供具有重复单元结构的产品，并确定该产品上的失效单元的位置；

步骤2：在产品表面制作与所述失效单元对应的定位标记和警示标记；

步骤3：在所述失效单元上方沉积第一金属保护层，所述第一金属保护层部分覆盖所述定位标记和警示标记；步骤4：在所述第一金属保护层上沉积第二金属保护层；

步骤5：根据所述定位标记和警示标记切割产品制备TEM样品。

作为优选，所述步骤2中，定位标记和警示标记均为线状。

作为优选，使用FIB制作所述定位标记和警示标记。

作为优选，所述步骤2包括：

步骤21：制作线状定位标记，所述线状定位标记与所述失效单元处于同一直线上，且所述线状定位标记的一端与所述失效单元距离多个重复单元；

步骤22：制作线状警示标记，所述线状警示标记与所述线状定位标记平行设置，且距离所述线状定位标记一个或多个重复单元。

作为优选，通过FIB电子束辅助沉积所述第一金属保护层，离子束辅助沉积第二金属保护层。

作为优选，所述第一、第二金属保护层均采用金属铂。

作为优选，所述步骤5包括：

步骤51：切割产品到警示标记后停下；

步骤52：继续切割产品到定位标记处，完成TEM样品的第一面切割；

步骤53：根据定位标记的位置，进行TEM样品第二面的切割。

作为优选，所述步骤51中的电流强度为3000～500pA，所述步骤52中的电流强度为300～100pA。

作为优选，所述具有重复单元结构的产品为SRAM(静态随机存储器)晶圆阵列、DRAM(动态随机存取存储器)晶圆阵列、FLASH(闪存)晶圆阵列或CT(contact，测试结构)阵列。

与现有技术相比，本发明针对具有重复单元结构的产品上的失效单元，在产品上制作与所述失效单元对应的定位标记和警示标记，以便后续切割产品进行TEM样品时，能够准确地获知失效单元的位置，进而实现精确定位。本发明的操作简单，可以在制样过程中或制样完成后快速确认失效单元的位置，提高了TEM样品的制样效率。

附图说明

图1为具有重复单元结构的产品上失效单元的俯视图；

图2为具有重复单元结构的产品上失效单元的剖面图；

图3为本发明一具体实施方式中产品上形成线性警示标记后的俯视图；

图4为本发明一具体实施方式中产品上形成线性警示标记后失效单元的剖面图；

图5为本发明一具体实施方式中产品上沉积第一金属保护层后的俯视图；

图6为本发明一具体实施方式中产品上沉积第一金属保护层后失效单元的剖面图；

图7为本发明一具体实施方式中产品上沉积第二金属保护层后的俯视图；

图8为本发明一具体实施方式中产品上沉积第二金属保护层后失效单元的剖面图；

图9为本发明一具体实施方式中产品切割至线性警示标记后的俯视图；

图10为本发明一具体实施方式中产品上切割至线性定位标记后(完成第一面切割后)的俯视图；

图11为本发明一具体实施方式中对产品进行第二面切割的示意图；

图12为本发明一具体实施方式中一种TEM样品的定位方法的流程图。

图1至图2中：100-失效单元；