[发明专利]一种存储类型的闪存中的块操作方法和装置有效

专利信息
申请号: 201510624779.9 申请日: 2015-09-25
公开(公告)号: CN105224248B 公开(公告)日: 2019-06-21
发明(设计)人: 苏志强;丁冲;陈立刚;谢瑞杰 申请(专利权)人: 北京兆易创新科技股份有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 代理人: 苏培华
地址: 100083 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 存储 类型 闪存 中的 操作方法 装置
【权利要求书】:

1.一种存储类型的闪存中的块操作方法,其特征在于,包括:

启动与译码地址对应的块选择器,其中,所述块选择器可对一个奇数块和一个偶数块进行选择,且所述奇数块与所述偶数块为相邻的两个块;

确定所述块选择器可选择的所述奇数块对应的第一电压,以及所述块选择器可选择的所述偶数块对应的第二电压;

依据所述译码地址对所述第一电压以及所述第二电压进行配置,以将所述译码地址指示的块对应的电压配置为有效操作电压,另一个块对应的电压配置为无效操作电压;

分别导通控制所述第一电压传输的MOS管、以及控制所述第二电压传输的MOS管;

其中,所述存储类型的闪存中的块包含相同个数的奇数块与偶数块,且所述存储类型的闪存中块的个数为块选择器的两倍;

在所述启动与所述译码地址对应的块选择器步骤之前,所述方法还包括:

通过地址输入接口接收待操作的块对应的地址;

通过块译码器对所述地址进行译码,生成译码地址并通过译码地址输出接口输出;

确定与所述译码地址对应的块选择器;

所述地址输入接口的个数为9个,所述译码地址输出接口为4个。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,控制所述第一电压传输的MOS管设置在第一字线驱动中,控制所述第二电压传输的MOS管设置在第二字线驱动中;

所述第一字线驱动与偶字线电压导通,所述第二字线驱动与奇字线电压导通。

3.一种存储类型的闪存中的块操作装置,其特征在于,包括:

启动模块,用于启动与译码地址对应的块选择器,其中,所述块选择器可对一个奇数块和一个偶数块进行选择,且所述奇数块与所述偶数块为相邻的两个块;

确定模块,用于确定所述块选择器可选择的所述奇数块对应的第一电压,以及所述块选择器可选择的所述偶数块对应的第二电压;

电压设置模块,用于依据所述译码地址对所述第一电压以及所述第二电压进行配置,以将所述译码地址指示的块对应的电压配置为有效操作电压,另一个块对应的电压配置为无效操作电压;

导通模块,用于分别导通控制所述第一电压传输的MOS管、以及控制所述第二电压传输的MOS管;

其中,所述存储类型的闪存中的块包含相同个数的奇数块与偶数块,且所述存储类型的闪存中块的个数为块选择器的两倍;

所述装置还包括:

接收模块,用于在所述启动模块启动与所述译码地址对应的块选择器之前,通过地址输入接口接收待操作的块对应的地址;

译码模块,用于通过块译码器对所述地址进行译码,生成译码地址并通过译码地址输出接口输出;

块选择器确定模块,用于确定与所述译码地址对应的块选择器;

所述地址输入接口的个数为9个,所述译码地址输出接口为4个。

4.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,控制所述第一电压传输的MOS管设置在第一字线驱动中,控制所述第二电压传输的MOS管设置在第二字线驱动中;

所述第一字线驱动与偶字线电压导通,所述第二字线驱动与奇字线电压导通。

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