[发明专利]一种存储类型的闪存中的块操作方法和装置

说明书

本发明提供了一种存储类型的闪存中的块操作方法和装置，其中，所述方法包括：启动与译码地址对应的块选择器，块选择器可对一个奇数块和一个偶数块进行选择，奇数块与偶数块为相邻的两个块；确定块选择器可选择的奇数块对应的第一电压，以及块选择器可选择的偶数块对应的第二电压；依据译码地址对第一电压以及第二电压进行配置，以将译码地址指示的块对应的电压配置为有效操作电压，另一个块对应的电压配置为无效操作电压；分别导通控制第一电压传输的MOS管、以及控制第二电压传输的MOS管。通过本发明实施例提供的存储类型的闪存中的块操作方案，可缩减一半数量的block selector，相应地将减小NAND FLASH的面积。

技术领域

本发明涉及芯片存储技术领域，特别是涉及一种存储类型的闪存中的块控制方法和装置。

背景技术

现有的NAND FLASH(即存储类型的闪存)中每个block selector(即块选择器)控制对一个block(即块)的控制。也就是说，若NAND FLASH中包含1024个block，则需要在NANDFLASH中设置1024个block selector分别对各块进行选址控制。

现有的NAND FLASH中的块操作方法如下：当需要对某一block进行操作时，直接启动block对应的块选择器，然后，通过块选择器选择其对应的唯一的块即可。

而现有的NAND FLASH中的这种block selector与block一一对应的设置结构以及操作块的方式，block selector的设置数量需要与block的数量相同，且block selector主要由单管面积较大的高压MOS管设计组成，若数量较多，这就导致block selector在NANDFLASH中会占用大量的面积，而如果block selector需要占用大量的面积，NAND FLASH的面积就需要足够大。本领域技术人员能够明了，NAND FLASH的面积大，则意味着NAND FLASH成本的增加。可见，现有的NAND FLASH由于需要设定与block相同数量的block selector，因此，NAND FLASH的成本高。

发明内容

鉴于上述问题，提出了本发明以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的存储类型的闪存中块操作方法和装置。

依据本发明的一个方面，提供了一种存储类型的闪存中的块操作方法，包括：启动与译码地址对应的块选择器，其中，所述块选择器可对一个奇数块和一个偶数块进行选择，且所述奇数块与所述偶数块为相邻的两个块；确定所述块选择器可选择的所述奇数块对应的第一电压，以及所述块选择器可选择的所述偶数块对应的第二电压；依据所述译码地址对所述第一电压以及所述第二电压进行配置，以将所述译码地址指示的块对应的电压配置为有效操作电压，另一个块对应的电压配置为无效操作电压；分别导通控制所述第一电压传输的MOS管、以及控制所述第二电压传输的MOS管。

优选地，在所述启动与所述译码地址对应的块选择器步骤之前，所述方法还包括：通过地址输入接口接收待操作的块对应的地址；通过块译码器对所述地址进行译码，生成译码地址并通过译码地址输出接口输出；确定与所述译码地址对应的块选择器。

优选地，控制所述第一电压传输的MOS管设置在第一字线驱动中，控制所述第二电压传输的MOS管设置在第二字线驱动中；所述第一字线驱动与偶字线电压导通，所述第二字线驱动与奇字线电压导通。

优选地，所述存储类型的闪存中的块包含相同个数的奇数块与偶数块，且所述存储类型的闪存中块的个数为块选择器的两倍。