[发明专利]一种聚合物薄膜电双稳器件及其制作方法有效
申请号: | 201510627058.3 | 申请日: | 2015-09-28 |
公开(公告)号: | CN105226188B | 公开(公告)日: | 2018-06-22 |
发明(设计)人: | 彭博;胡煜峰;娄志东;侯延冰;滕枫 | 申请(专利权)人: | 北京交通大学 |
主分类号: | H01L51/05 | 分类号: | H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40;H01L27/28;G11C11/56 |
代理公司: | 北京卫平智业专利代理事务所(普通合伙) 11392 | 代理人: | 董琪 |
地址: | 100044 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电双稳器件 聚合物薄膜 聚甲基丙烯酸甲酯 己基噻吩 功能层 制作 操作流程 共混物层 器件制作 依次设置 成膜性 电极层 相分离 质量比 基底 应用 | ||
1.一种聚合物薄膜电双稳器件,其特征在于,包括:由下至上依次设置的基底(1)、功能层(2)、电极层(3),
所述功能层(2)为聚3-己基噻吩和聚甲基丙烯酸甲酯共混物层;
所述聚合物薄膜电双稳器件制备步骤为:
1)采用附有导电材料的玻璃基板,将其洗净;
2)在附有导电材料的玻璃基板上旋涂聚合物功能层;
3)在聚合物功能层上蒸镀低功函数材料;
步骤2)中,待旋涂完毕之后进行退火处理,使其溶剂挥发,聚合物产生相分离,分为两层,聚3-己基噻吩为一层,聚甲基丙烯酸甲酯为一层,基底(1)、聚甲基丙烯酸甲酯、聚3-己基噻吩、电极层(3)顺次相连;
所述聚3-己基噻吩和聚甲基丙烯酸甲酯的质量比为1:9;
步骤2)中,旋涂转速为3000转/分钟,旋涂成膜时间为40秒;
步骤2)的旋涂过程是在手套箱中完成的;
步骤2)中,按配比取聚3-己基噻吩和聚甲基丙烯酸甲酯,在1mL的氯苯中共混;
所述退火温度为100℃。
2.如权利要求1所述的聚合物薄膜电双稳器件,其特征在于:基底(1)为附有导电材料的玻璃基板;所述的导电材料为氧化铟锡。
3.如权利要求1所述的聚合物薄膜电双稳器件,其特征在于:所述电极层(3)材料为低功函数材料。
4.如权利要求1所述的聚合物薄膜电双稳器件,其特征在于:退火时间为30分钟。
5.如权利要求1所述的聚合物薄膜电双稳器件,其特征在于:步骤3)在气压为10-4Pa的真空条件下进行。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京交通大学,未经北京交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510627058.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择