[发明专利]一种聚合物薄膜电双稳器件及其制作方法

说明书

本发明涉及一种聚合物薄膜电双稳器件及其制作方法，包括：由下至上依次设置的基底(1)、功能层(2)、电极层(3)，所述功能层(2)为聚3‑己基噻吩和聚甲基丙烯酸甲酯共混物层。所述聚3‑己基噻吩和聚甲基丙烯酸甲酯的质量比为1：9。本发明所述的聚合物薄膜电双稳器件及其制作方法，减少了操作流程，由于相分离现象，改善了成膜性，提高了器件制作效率，具有良好的应用前景。

技术领域

本发明涉及有机光电子技术领域，具体说是一种聚合物薄膜电双稳器件及其制作方法。尤指一种基于不同聚合物共混的薄膜电双稳器件及其制备方法。

背景技术

电双稳态是半导体存储元件的基本特性，其主要现象为：器件在相同的外加电压下会出现两种不同的导电状态。具体来说，当在器件的功能层薄膜两边施加电压时，随着电压的变化，器件的导电状态也随之发生变化。当外加电压撤除时，发生转变的导电状态可以保持很长时间。且施加反向电压又可以使器件的导电状态还原，分别对应了存储元件的写入、读取和擦除过程。

近年来，随着信息技术向低碳化、低成本、便携式、高容量及快速响应方向发展，以无机半导体为介质的存储技术已经逐渐达到了发展极限，而基于有机材料作为功能层制备的存储元件具有成本低、工艺简单、柔韧性好、结构多变、器件尺寸小等优点，从而成为有良好应用前景的存储器，重新获得了学术界的关注，并且取得了迅速的发展。

目前，聚合物薄膜由于其制备简单且效果稳定，获得了大家的关注。利用不同的聚合物的物理化学特性，经过退火处理产生相分离现象，在界面处会有缺陷，使器件有电荷存储能力，可以制作出稳定的器件，在有机存储领域有较好的应用前景。

发明内容

针对现有技术中存在的缺陷，本发明的目的在于提供一种聚合物薄膜电双稳器件及其制作方法，器件可以通过外加偏压来调节其导电状态，在同一电压下器件电流会有不同的效果，样品器件的电流差最大达到了10²倍；通过施加周期性的电压脉冲信号对器件进行“写入、读取、擦除、读取”的循环测试，以检验器件的重复使用能力，样品器件在循环测试中保持了较大的开关比。

为达到以上目的，本发明采取的技术方案是：

一种聚合物薄膜电双稳器件，其特征在于，包括：由下至上依次设置的基底1、功能层2、电极层3，

所述功能层2为聚3-己基噻吩和聚甲基丙烯酸甲酯共混物层。

在上述技术方案的基础上，所述聚3-己基噻吩和聚甲基丙烯酸甲酯的质量比为1：9。

在上述技术方案的基础上，基底1为附有导电材料的玻璃基板；所述的导电材料为氧化铟锡。

在上述技术方案的基础上，所述电极层3材料为低功函数材料。

在上述技术方案的基础上，其制备步骤为：

1)采用附有导电材料的玻璃基板，将其洗净；

2)在附有导电材料的玻璃基板上旋涂聚合物功能层；

3)在聚合物功能层上蒸镀低功函数材料。

在上述技术方案的基础上，步骤2)中，旋涂转速为3000转/分钟，旋涂成膜时间为40秒。

在上述技术方案的基础上，步骤2)中，待旋涂完毕之后进行退火处理，使其溶剂挥发，聚合物产生相分离，分为两层，聚3-己基噻吩为一层，聚甲基丙烯酸甲酯为一层，基底1、聚甲基丙烯酸甲酯、聚3-己基噻吩、电极层3顺次相连。

在上述技术方案的基础上，退火温度为100℃，退火时间为30分钟。

在上述技术方案的基础上，步骤2)的旋涂过程是在手套箱中完成的。

在上述技术方案的基础上，步骤2)中，按配比取聚3-己基噻吩和聚甲基丙烯酸甲酯，在1mL的氯苯中共混。