[发明专利]一种二维钙钛矿薄膜的制备方法有效
申请号: | 201510627135.5 | 申请日: | 2015-09-28 |
公开(公告)号: | CN105331950B | 公开(公告)日: | 2017-11-10 |
发明(设计)人: | 鲍桥梁;薛运周;李绍娟;袁建 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | C23C16/40 | 分类号: | C23C16/40;C23C16/44 |
代理公司: | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)32257 | 代理人: | 杨明 |
地址: | 215100 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 二维 钙钛矿 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种二维钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于包括步骤:
A、将MAX源、卤化铅源及衬底材料分别放入三温区CVD系统中的温区a、温区b及温区c上,抽真空,将所述温区b升温至200-300℃,将所述CVD系统中的温区c升温至180-280℃,通入氢气及氩气,控制所述CVD系统内的气压为0.5-10Torr;
B、待所述温区b和所述温区c的温度升到目标温度并保持一定时间以后,对所述温区a升温至70-120℃,并维持至生长结束。
2.根据权利要求1所述的二维钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤A中的衬底材料为硅、二氧化硅、石英、玻璃、蓝宝石、云母、Al2O3、HfO2绝缘体或半导体,或能耐受所述温区c中反应温度的聚二甲基硅氧烷、聚碳酸酯聚合物材料的柔性衬底。
3.根据权利要求1所述的二维钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤A中抽真空度为10-2-10-3Torr。
4.根据权利要求1所述的二维钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤B中所述温区a的加热的时间为所述温区b和所述温区c维持相应温度后的5分钟-2小时。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的