[发明专利]一种二维钙钛矿薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201510627135.5 申请日: 2015-09-28
公开(公告)号: CN105331950B 公开(公告)日: 2017-11-10
发明(设计)人: 鲍桥梁;薛运周;李绍娟;袁建 申请(专利权)人: 苏州大学
主分类号: C23C16/40 分类号: C23C16/40;C23C16/44
代理公司: 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)32257 代理人: 杨明
地址: 215100 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 二维 钙钛矿 薄膜 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种二维钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于包括步骤:

A、将MAX源、卤化铅源及衬底材料分别放入三温区CVD系统中的温区a、温区b及温区c上,抽真空,将所述温区b升温至200-300℃,将所述CVD系统中的温区c升温至180-280℃,通入氢气及氩气,控制所述CVD系统内的气压为0.5-10Torr;

B、待所述温区b和所述温区c的温度升到目标温度并保持一定时间以后,对所述温区a升温至70-120℃,并维持至生长结束。

2.根据权利要求1所述的二维钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤A中的衬底材料为硅、二氧化硅、石英、玻璃、蓝宝石、云母、Al2O3、HfO2绝缘体或半导体,或能耐受所述温区c中反应温度的聚二甲基硅氧烷、聚碳酸酯聚合物材料的柔性衬底。

3.根据权利要求1所述的二维钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤A中抽真空度为10-2-10-3Torr。

4.根据权利要求1所述的二维钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤B中所述温区a的加热的时间为所述温区b和所述温区c维持相应温度后的5分钟-2小时。

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