[发明专利]一种二维钙钛矿薄膜的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池材料制备领域，尤其涉及一种二维钙钛矿薄膜的制备方法。

背景技术

对新型高效太阳能电池材料钙钛矿而言，钙钛矿薄膜材料的结晶性能好坏对太阳能电池转换效率具有重要影响。传统制备钙钛矿薄膜材料主要采用溶液法进行，分为两种：两步法和一步法。两步法制备钙钛矿薄膜的主要过程是：首先将一定量的卤化铅(PbI₂，PbCl₂，PbBr₂)溶解于N，N-二甲基甲酰胺(DMF)溶液中，并于70℃条件下进行搅拌至其完全溶解，将所得到的卤化铅溶液旋涂于目标衬底表面，并置于70℃条件下加热30分钟；待其温度降到室温后将其浸入溶有MAX(M：CH₃，A：NH₃，X：Cl，Br，I)的异丙醇溶液中20秒，随后用异丙醇清洗并置于70℃温度下加热30分钟。一步法制备钙钛矿的主要过程为：首先将卤化铅和MAX按1：3的比例混合后溶于DMF中，然后将其旋涂于目标衬底表面并于90℃条件下退火1小时即得到所需要的钙钛矿薄膜。上述两种方法所导致的共同缺陷是所制备的薄膜表面不均匀，多晶结构并且表面粗糙度很大，对所制备的太阳能电池的转化效率具有较大影响；此外，采用旋涂方式制备钙钛矿薄膜导致大量的原料浪费，容易造成污染环境等。

目前，最新的制备方法是采用化学气相沉积法(CVD)制备钙钛矿，由于技术限制，所制备的钙钛矿主要为片状结构，并且采用两步法进行。化学气相沉积法制备钙钛矿薄膜的主要过程是：首先以卤化铅为源，将其置于CVD系统的加热区域，随后将系统内的压力维持在50-200Torr，并开始加热至380℃维持一定时间从而获得卤化铅片状单晶，随后将MAX置于CVD系统的加热区域，将上述所制备的卤化铅片状单晶置于MAX气流下游，维持系统内压力为20-50Torr，加热到120℃并维持一定的时间。该方法所制备的钙钛矿为片状结构，并且厚度较厚，无法形成连续性的薄膜；此外，该方法所用的生长温度较高，不利于环境保护，节约能源的宗旨。

有鉴于上述的缺陷，本设计人，积极加以研究创新，以期创设一种二维钙钛矿薄膜的制备方法，使其更具有产业上的利用价值。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明的目的是提供一种基于化学气相沉积法在各种衬底表面制备大面积高质量二维钙钛矿薄膜的方法，以使得所制备的钙钛矿薄膜厚度达到数纳米至数百纳米，同时具有较高的连续性、均匀性及结晶性。

本发明的二维钙钛矿薄膜的制备方法，包括步骤：

A、将MAX源，卤化铅源及衬底材料分别放入三温区CVD系统中的温区a、温区b及温区c上，抽真空，将所述温区b升温至200-300℃，将所述CVD系统中的温区c升温至180-280℃，通入氢气及氩气，控制所述CVD系统内的气压为0.5-10Torr；

B、待所述温区b和所述温区c的温度升到目标温度并保持一定时间以后，对所述温区a升温至70-120℃，并维持至生长结束。

进一步的，所述步骤A中的衬底材料为硅、二氧化硅、石英、玻璃、蓝宝石、云母、Al₂O₃、HfO₂等绝缘体或半导体，或能耐受所述温区c中反应温度的聚二甲基硅氧烷、聚碳酸酯等聚合物材料的柔性衬底。

进一步的，所述步骤A中抽真空度为10^-2-10^-3Torr。以去除空气中的氧，水等活性气体，保持清洁的生长环境。

进一步的，所述步骤B中所述温区a的加热的时间为所述温区b和所述温区c维持相应温度后的5分钟-2小时。温区a加热的时间视所需要制备的二维钙钛矿薄膜的厚度而定。