[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件

权利要求书

1.一种制造包含晶体管的半导体器件(10)的方法，包括：

在半导体衬底(100)的主表面(110)内形成场板沟槽(252)，漂移区(260)限定在相邻的场板沟槽(252)之间；

在所述场板沟槽(252)内形成场介电层(251)；

此后，在所述半导体衬底(100)的所述主表面(110)内形成栅极沟槽(212)，沟道区域(220)限定在相邻的栅极沟槽(212)之间；以及

在所述场板沟槽(252)中的至少一些所述场板沟槽和所述栅极沟槽(212)的至少一些所述场板沟槽内形成导电材料(170)，

所述方法还包括在所述半导体衬底(100)的所述主表面(110)内形成源极区域(201)并形成漏极区域(205)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述源极区域(201)和所述漏极区域(205)沿第一水平方向布置，所述场板沟槽和所述栅极沟槽在所述源极区域(201)和所述漏极区域(205)之间形成，至少一个所述场板沟槽(252)和至少一个所述栅极沟槽(212)沿所述第一水平方向布置。

3.根据权利要求1或2所述的方法，还包括形成与所述源极区域(201)接触的源极接触(202)，其中形成所述源极接触(202)包括在所述主表面内形成源极接触槽(203)。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述源极接触槽(203)相对于所述栅极沟槽(212)以自对准形式形成。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述源极接触槽(203)和所述栅极沟槽(212)通过接合蚀刻工艺形成。

6.根据权利要求3所述的方法，其中所述源极接触槽(203)和所述栅极沟槽(212)延伸至近似相同的深度。

7.根据权利要求1或2所述的方法，还包括掺杂所述沟道区域(220)。

8.根据权利要求7所述的方法，其中用于形成所述沟道区域(220)的掺杂工艺在形成所述场板沟槽(252)前被执行。

9.根据权利要求7所述的方法，其中用于形成所述沟道区域(220)的掺杂工艺在形成所述栅极沟槽(212)后并在所述栅极沟槽(212)内形成所述导电材料前执行。

10.根据权利要求7所述的方法，其中用于形成所述沟道区域(220)的掺杂工艺在所述栅极沟槽(212)内形成所述导电材料后执行。

11.根据权利要求10所述的方法，其中用于形成所述沟道区域(220)的掺杂工艺包括倾斜离子注入工艺。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述倾斜离子注入工艺之后是用于限定源极区域(201)的进一步倾斜离子注入工艺。

13.根据权利要求2所述的方法，其中所述场板沟槽(252)中的每个场板沟槽和所述栅极沟槽(212)中的每个栅极沟槽被形成为在所述第一水平方向上延伸，所述场板沟槽(252)和所述栅极沟槽(212)中相邻的所述场板沟槽和所述栅极沟槽沿垂直于所述第一水平方向的第二水平方向布置。

14.根据权利要求13所述的方法，其中形成在相邻的栅极沟槽(212)之间的所述沟道区域(220)的宽度d满足d≤2×ld，其中ld表示形成在所述沟道区域(220)和所述栅极电极之间界面处的耗尽区的长度，所述宽度d在垂直于所述第一水平方向的水平方向上测量。