[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件

说明书

本公开涉及制造包含晶体管的半导体器件的方法包括在半导体衬底的主表面内形成场板沟槽(S400)，漂移区被限定在相邻的场板沟槽之间，在场板沟槽内形成场介电层(S410)，此后，在半导体衬底的主表面内形成栅极沟槽(S420)，沟道区域被限定在相邻的栅极沟槽之间，以及在场板沟槽的至少一些和栅极沟槽的至少一些内形成导电材料(S430)。该方法还包括在半导体衬底的主表面内形成(S440)源极区域和形成漏极区域。

技术领域

本说明书涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。

背景技术

通常应用于汽车和工业电子设备的MOS功率晶体管或MOS功率器件，应具有低导通电阻(R_on)。在断态，期望高击穿电压以承受源极-漏极电压。例如，在开关断开时典型的MOS功率晶体管应承受几十到几百伏的漏极至源极电压V_ds。再例如，MOS功率晶体管在约2至20V的栅极-源极电压下以低压降V_ds传导可高至几百安培的非常大的电流。

根据普遍采用的技术，横向MOS晶体管被采用，其包括漏极延伸区域或基于所谓的降低表面电场概念。根据降低表面电场概念，在断态中电荷通过布置在漂移区域下方的掺杂部分移除。可选地，该掺杂部分可被实施为布置在漂移区域上且与漂移区域绝缘的电极。为了进一步降低R_on和寄生电容，正在探索实施晶体管的新的感念。此外，制造这种晶体管的新的方法已被研发。

发明内容

本发明的目的是提供制造晶体管的改进的方法。此外，提供改进的晶体管也是目的。

根据本发明，上述目标通过独立权利要求要求的主题实现。优选实施例限定在从属权利要求中。

附图说明

提供附图以帮助进一步理解本发明的实施例，其被并入并构成说明书的一部分。附图说明本发明的实施例并结合说明书用于解释原理。通过参考下文详细描述将更好地理解本发明的其他实施例和诸多潜在改进，因此其将更加显而易见。附图的元素未必要地相对彼此成比例。相同附图标记指代相应的相同部分。

图1A示出根据实施例的半导体器件的示例的平面图；

图1B示出图1A所示的半导体器件的截面图；

图1C示出图1A所示的半导体器件的另一截面图；

图1D示出沿与图1B的截面图的方向垂直的方向截面的依照实施例的半导体器件的截面图；

图1E示出沿与图1B的截面图的方向垂直的方向截面的半导体器件的另一截面图；

图2A至2J显示在执行制造方法的处理方法时半导体衬底的截面图；

图3A至3C说明制造方法的修改；

图4A说明根据实施例的一般方；以及

图4B说明根据另一实施例的一般方法。

具体实施方式

参考附图给出下文详细描述，该附图作为说明书的一部分并以说明方式说明本发明所实施的特定实施例。由此，方向术语，如“顶部”、“底部”、“前部”、“背部”、“首部”、“尾部”等参考附图的朝向被描述。由于本发明的实施例的元件可以若干不同朝向放置，方向术语仅用于说明目的而不作为限制。应理解可采用其它实施例并且可进行结构或逻辑改变而不背离权利要求限定的范围。特别地，下文描述的实施例的元件可与不同实施例的元件组合。