[发明专利]一种基片的加热设备及加热方法有效
申请号: | 201510628018.0 | 申请日: | 2015-09-28 |
公开(公告)号: | CN106555159B | 公开(公告)日: | 2018-12-11 |
发明(设计)人: | 李强;张伟;白志民 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C14/02 | 分类号: | C23C14/02 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 预加热 加热装置 加热 再加热 第二承载装置 第一承载装置 加热设备 承载 半导体技术领域 加热腔室 加热腔 去气 时长 室内 | ||
1.一种基片的加热设备,其特征在于,包括:加热腔室及位于所述加热腔室内的第一承载装置、第一加热装置、第二承载装置和第二加热装置,其中所述第一承载装置与所述第一加热装置对应设置,所述第二承载装置与所述第二加热装置对应设置;
所述第一承载装置用于承载未加热的基片,所述第一加热装置用于对所述未加热的基片进行预加热,所述第二承载装置用于承载预加热后的基片,所述第二加热装置用于对所述预加热后的基片进行再加热;或者,所述第二承载装置用于承载未加热的基片,所述第二加热装置用于对所述未加热的基片进行预加热,所述第一承载装置用于承载预加热后的基片,所述第一加热装置用于对所述预加热后的基片进行再加热;
其中,当前基片的预加热与上一基片的再加热同时进行,当前基片的再加热与下一基片的预加热同时进行。
2.根据权利要求1所述的基片的加热设备,其特征在于,所述加热腔室中从上至下依次为:所述第一加热装置、所述第一承载装置、所述第二承载装置和所述第二加热装置。
3.根据权利要求2所述的基片的加热设备,其特征在于,所述第一承载装置包括设置于所述加热腔室内壁上的至少3个凸起,各所述凸起位于同一平面上以承托基片。
4.根据权利要求3所述的基片的加热设备,其特征在于,各所述凸起沿所述加热腔室内壁等间隔分布。
5.根据权利要求3所述的基片的加热设备,其特征在于,所述第一加热装置包括多个加热灯泡。
6.根据权利要求2所述的基片的加热设备,其特征在于,所述第二承载装置包括一平台,以承托基片。
7.根据权利要求6所述的基片的加热设备,其特征在于,所述第二加热装置包括电阻丝。
8.一种基片的加热方法,其特征在于,应用于如权利要求1~7任一项所述的基片的加热设备,包括:
对未加热的基片进行预加热;
对预加热后的基片进行再加热;
其中,当前基片的预加热与上一基片的再加热同时进行,当前基片的再加热与下一基片的预加热同时进行。
9.根据权利要求8所述的基片的加热方法,其特征在于,所述当前基片的预加热与上一基片的再加热同时进行,当前基片的再加热与下一基片的预加热同时进行具体包括:
将未加热的当前基片与预加热后的上一基片置于加热设备中;
对所述未加热的当前基片进行预加热,同时对所述预加热后的上一基片进行再加热;
将预加热后的当前基片与再加热后的上一基片从所述加热设备中取出,所述再加热后的上一基片完成整个加热过程;
将所述预加热后的当前基片与未加热的下一基片置于所述加热设备中;
对所述预加热后的当前基片进行再加热,同时对所述未加热的下一基片进行预加热;
将再加热后的当前基片与预加热后的下一基片从所述加热设备中取出,所述再加热后的当前基片完成整个加热过程,所述预加热后的下一基片等待被置于所述加热设备中进行再加热。
10.根据权利要求8或9所述的基片的加热方法,其特征在于,所述对未加热的基片进行预加热具体包括:对所述未加热的基片进行第一预设时间的加热,使基片的温度升高至设定温度;
所述对预加热后的基片进行再加热具体包括:对所述预加热后的基片进行第二预设时间的加热,使基片上各处的温度均匀。
11.根据权利要求10所述的基片的加热方法,其特征在于,所述第一预设时间等于所述第二预设时间。
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