[发明专利]一种基片的加热设备及加热方法

说明书

本发明提供了一种基片的加热设备及加热方法，涉及半导体技术领域，能够缩短基片的平均加热去气时长。其中基片的加热设备包括：加热腔室及位于加热腔室内的第一承载装置、第一加热装置、第二承载装置和第二加热装置；第一承载装置承载未加热的基片，第一加热装置对未加热的基片进行预加热，第二承载装置承载预加热后的基片，第二加热装置对预加热后的基片进行再加热；或者第二承载装置承载未加热的基片，第二加热装置对未加热的基片进行预加热，第一承载装置承载预加热后的基片，第一加热装置对预加热后的基片进行再加热；当前基片的预加热与上一基片的再加热同时进行，当前基片的再加热与下一基片的预加热同时进行。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种基片的加热设备及加热方法。

背景技术

物理气相沉积(PVD，Physical Vapor Deposition)技术或溅射(Sputtering)沉积技术是半导体工业中最广为使用的一类薄膜制造技术，泛指采用物理方法制备薄膜的薄膜制备工艺。在PVD工艺中，基片大致需要经过两个工艺过程：去气(Degas)、氮化钛(TiN)沉积，其中去气工艺主要是利用去气设备将基片加热至350℃左右，以去除基片上的水蒸气及其它易挥发杂质。

现有的去气设备的主要包括：腔室、位于腔室上方的加热灯泡和位于腔室下方的加热器。去气过程中，首先使加热器保持某恒定温度，将基片传入腔室内并置于加热器上，然后向腔室内充气，使腔室内压保持一定压力，同时利用加热灯泡对基片进行加热，使基片迅速升温，达到设定温度，保持设定工艺时间，停止充气，腔室抽真空，传出基片，完成一次工艺流程。

现有的去气工艺流程中，基片进入腔室前的温度为室温，在腔室内首先利用加热灯泡快速升温，同时利用加热器来调整温度均匀性，为了使基片去气充分，这一过程所需的工艺时间较长，进而造成去气设备的产能较低。

发明内容

为克服上述现有技术中的缺陷，本发明所要解决的技术问题为：提供一种基片的加热设备及加热方法，以缩短对基片进行去气时的平均加热时长，提高产能。

为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：

本发明的第一方面提供了一种基片的加热设备，包括：加热腔室及位于所述加热腔室内的第一承载装置、第一加热装置、第二承载装置和第二加热装置，其中所述第一承载装置与所述第一加热装置对应设置，所述第二承载装置与所述第二加热装置对应设置；

所述第一承载装置用于承载未加热的基片，所述第一加热装置用于对所述未加热的基片进行预加热，所述第二承载装置用于承载预加热后的基片，所述第二加热装置用于对所述预加热后的基片进行再加热；或者，所述第二承载装置用于承载未加热的基片，所述第二加热装置用于对所述未加热的基片进行预加热，所述第一承载装置用于承载预加热后的基片，所述第一加热装置用于对所述预加热后的基片进行再加热；

其中，当前基片的预加热与上一基片的再加热同时进行，当前基片的再加热与下一基片的预加热同时进行。

可选的，所述加热腔室中从上至下依次为：所述第一加热装置、所述第一承载装置、所述第二承载装置和所述第二加热装置。

可选的，所述第一承载装置包括设置于所述加热腔室内壁上的至少3个凸起，各所述凸起位于同一平面上以承托基片。

可选的，各所述凸起沿所述加热腔室内壁等间隔分布。

可选的，所述第一加热装置包括多个加热灯泡。

可选的，所述第二承载装置包括一平台，以承托基片。

可选的，所述第二加热装置包括电阻丝。

本发明的第二方面提供了一种基片的加热方法，包括：

对未加热的基片进行预加热；

对预加热后的基片进行再加热；