[发明专利]具有包括处理层的窄因子过孔的电子封装

权利要求书

1.一种电子封装，包括：

导电焊盘；

封装绝缘体层，所述封装绝缘体层包括实质上非导电的材料，所述封装绝缘体层是实质上平坦的；以及

过孔，所述过孔形成在所述封装绝缘体层内，所述过孔电耦合到所述导电焊盘，所述过孔包括：

导体，所述导体垂直延伸贯穿所述封装绝缘体层的至少部分并且具有接近所述导电焊盘的第一端部和与所述第一端部相对的第二端部；以及

处理层，所述处理层被固定到所述导体的所述第二端部，所述处理层包括金复合物，

其中，所述过孔是第一过孔，并且所述电子封装还包括第二过孔，所述第二过孔电耦合在所述过孔与所述导电焊盘之间并且至少部分地由所述封装绝缘体层围绕，并且其中，所述第一过孔的所述导体由第一材料构成并且所述第二过孔包括由不同于所述第一材料的第二材料构成的导体，以使得所述过孔具有降低的尺寸。

2.根据权利要求1所述的电子封装，其中，所述金复合物是钯-金复合物。

3.根据权利要求1所述的电子封装，其中，所述金复合物是无电镀镍浸金(ENIG)、ENIG加上无电镀金(ENIG+EG)、以及镍-钯-金(NiPdAu)中的一种。

4.根据权利要求1-3中的任一项所述的电子封装，其中，所述封装绝缘体层包括增层电介质材料和阻焊剂中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的电子封装，其中，所述增层电介质材料是Ajinomoto增层膜。

6.根据权利要求1-3中的任一项所述的电子封装，其中，所述封装绝缘体层至少部分地围绕所述导电焊盘。

7.根据权利要求1所述的电子封装，其中，所述第一材料是镍。

8.根据权利要求1-3中的任一项所述的电子封装，还包括耦合到所述处理层的焊球。

9.根据权利要求8所述的电子封装，其中，焊料被配置为电耦合到硅管芯的连接件。

10.根据权利要求1-3中的任一项所述的电子封装，其中，所述焊盘耦合到硅桥。

11.根据权利要求10所述的电子封装，其中，所述硅桥由硅、陶瓷、以及有机内插件中的至少一种制备。

12.一种制造电子封装的方法，包括：

形成导电焊盘；

形成封装绝缘体层，所述封装绝缘体层包括实质上非导电的材料，所述封装绝缘体层是实质上平坦的；

形成过孔的导体，所述导体垂直延伸贯穿所述封装绝缘体层的至少部分并且具有接近所述导电焊盘的第一端部和与所述第一端部相对的第二端部；以及

将所述过孔的处理层耦合到所述导体的所述第二端部，所述处理层包括金复合物，

其中，所述过孔是第一过孔，并且所述方法还包括形成第二过孔，所述第二过孔电耦合在所述过孔与所述导电焊盘之间并且至少部分地由所述封装绝缘体层围绕，并且其中，所述第一过孔的所述导体由第一材料构成并且所述第二过孔包括由不同于所述第一材料的第二材料构成的导体，以使得所述过孔具有降低的尺寸。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述金复合物是钯-金复合物。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述金复合物是无电镀镍浸金(ENIG)、ENIG加上无电镀金(ENIG+EG)、以及镍-钯-金(NiPdAu)中的一种。

15.根据权利要求12-14中的任一项所述的方法，其中，所述封装绝缘体层包括增层电介质材料和阻焊剂中的至少一种。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述增层电介质材料是Ajinomoto增层膜。

17.根据权利要求12-14中的任一项所述的方法，其中，所述封装绝缘体层至少部分地围绕所述导电焊盘。