[发明专利]一种显示基板及其制作方法和显示装置在审
申请号: | 201510629582.4 | 申请日: | 2015-09-28 |
公开(公告)号: | CN105182625A | 公开(公告)日: | 2015-12-23 |
发明(设计)人: | 唐文浩;陆相晚;李宾;袁慧芳;朱涛;尹海斌;陈建;董安鑫;方群;钟国强;傅欣欣 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1339 | 分类号: | G02F1/1339;G02F1/1335 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制作方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板及其制作方法和显示装置。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay;以下简称:TFT-LCD)凭借其功耗低、制造成本相对较低和无辐射等特点,已经成为平面显示器的主流,被广泛应用于各种显示元件例如移动电话、个人数字助理(PersonalDigitalAssistants,PDAs)、电脑、电视等电子装置的显示器上。其工作原理主要是利用电场来控制液晶分子的排列状态,由背光源产生的光线能否通过液晶分子以达到显示屏上明暗的显示效果。
TFT-LCD面板由彩膜基板和阵列基板对盒而成,两者间以隔垫物隔离出液晶注入的间隙,且在两片基板间的周围部分利用封框胶完成液晶的封装,为维持彩膜基板和阵列基板之间的间距(Cellgap),目前通常在彩膜基板上制作柱状隔垫物来维持盒厚。
图1为现有技术中彩膜基板侧面剖面图,如图1所示,彩膜基板包括玻璃基板101和依次设置其上的黑矩阵(BlackMatrix,BM)结构102、像素树脂103和公共电极104,柱状隔垫物105设置在公共电极104上。现有技术彩膜基板的制作如下:首先在玻璃基板101上形成黑矩阵结构102,然后依次在玻璃基板101和黑矩阵结构102上形成像素树脂103,接着在该黑矩阵结构102和像素树脂103上形成公共电极104,最后在公共电极104上形成柱状隔垫物105。
由上述可知,现有技术中需要2次涂覆和曝光显影制程形成黑矩阵结构102和柱状隔垫物105,因为曝光显影的制程工艺较为繁琐,故成本随之增加。此外,现有技术中为解决这一问题,通过在基板上涂覆一层黑矩阵材料层,然后再通过一次构图工艺形成黑矩阵结构102和柱状隔垫物105,如图2所示;在该工艺中,由于黑矩阵材料的光密度值比较小,因此形成的黑矩阵结构102和柱状隔垫物105厚度较厚,且平坦性差,对后续的对盒工艺会造成不良影响,最终导致面板显示不良。
发明内容
本发明实施例提供了一种显示基板及其制作方法和显示装置,用于简化制作工艺并降低生产成本,同时提高面板显示质量。
本发明实施例提供了一种显示基板的制作方法,所述方法包括:
在衬底基板形成一用于制作黑矩阵的非透明材料层;
在完成上述步骤的基板上形成一用于制作主、副柱状隔垫物的透明材料层;
利用构图工艺形成包括主、副柱状隔垫物以及黑矩阵的图形。
本发明实施例提供的显示基板的制作方法中,通过在衬底基板先形成一用于制作黑矩阵的非透明材料层,然后再形成一用于制作主、副柱状隔垫物的透明材料层;最后通过一次构图工艺形成黑矩阵和主、副柱状隔垫物;即本实施例中通过两次涂覆,一次刻蚀就完成了黑矩阵和主、副柱状隔垫物的制作,简化了制作工艺,降低了生产成本;并且,由于所述主、副柱状隔垫物的制作材料为透明材料,所述黑矩阵可采用具有较大的OD值的材料,因此可避免因OD值较低而导致的柱状隔垫物太高,进而影响面板显示质量的问题。
较佳的,形成的所述主、副柱状隔垫物的段差为0.3~0.7μm。
通过该方法形成的主、副柱状隔垫物的段差为0.3~0.7μm,段差处于该范围时既可以对显示面板起到保护作用,防止显示面板受到挤压导致变形,还有利于提高面板显示质量。
较佳的,所述利用构图工艺形成包括主、副柱状隔垫物以及黑矩阵的图形,包括:
利用包括与所述主、副柱状隔垫物图形对应的的掩膜板对光刻胶进行曝光、显影,形成包括主、副柱状隔垫物以及黑矩阵的图形。
通过利用包括与所述主、副柱状隔垫物图形对应的掩膜板对光刻胶进行曝光、显影,即可通过一次曝光工艺形成包括主、副柱状隔垫物以及黑矩阵的图形,有利于简化工艺制程,降低生产成本。
较佳的,所述掩膜板包括与主柱状隔垫物相对应的完全透光区域以及与副柱状隔垫物相对应的半透光区域;或者,
所述掩膜板包括与主柱状隔垫物相对应的大孔,以及与副柱状隔垫物相对应的小孔;其中,所述大孔的孔径大于所述小孔的孔径。
通过采用主柱状隔垫物相对应的完全透光区域以及与副柱状隔垫物相对应的半透光区域的掩膜板,或者包括分别与所述主、副隔垫物对应的大孔和小孔的掩膜板,然后再通过曝光工艺,即可形成所述主、副隔垫物和黑矩阵。
较佳的,所述利用构图工艺形成包括主、副柱状隔垫物以及黑矩阵的图形,具体包括:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510629582.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。