[发明专利]延伸管芯尺寸的方法和系统及并入管芯的封装半导体器件在审
申请号: | 201510629993.3 | 申请日: | 2015-09-29 |
公开(公告)号: | CN105513979A | 公开(公告)日: | 2016-04-20 |
发明(设计)人: | A·普拉扎卡莫;良仁勇;陈开质 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 延伸 管芯 尺寸 方法 系统 并入 封装 半导体器件 | ||
1.一种在封装的半导体器件内延伸管芯尺寸的方法,包括:
在间隔件的第一表面处将所述间隔件机械耦合并且电耦合到管芯 标记的第一表面,所述管芯标记由多个引线框架指包围,其中每个引 线框架指的近端与所述管芯标记隔开;
在管芯的第一表面处将管芯机械耦合并且电耦合到所述间隔件的 第二表面;以及
分别使用模塑化合物和包封化合物中的一个对所述管芯、所述间 隔件、所述管芯标记的至少一部分和每个引线框架指的至少一部分进 行二次模塑和包封中的一个;
其中所述间隔件沿着所述间隔件的所述第二表面的宽度比所述管 芯标记沿着所述管芯标记的所述第一表面的宽度大。
2.根据权利要求1所述的方法,其中每个引线框架指与所述管芯 标记以间隙宽度隔开,并且所述间隔件延伸越过每个间隙宽度并且在 每个引线框架指之上。
3.根据权利要求1所述的方法,其中每个引线框架指的所述近端 在所述间隔件之下。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述管芯标记的所述第一表 面与每个引线框架指的第一表面基本上是共面的。
5.根据权利要求1所述的方法,其中所述管芯使用导电粘合剂电 耦合并且机械耦合到所述间隔件。
6.根据权利要求1所述的方法,还包括:将绝缘材料耦合在所述 间隔件和至少一个所述引线框架指之间。
7.根据权利要求1所述的方法,其中所述管芯沿着所述管芯的所 述第一表面的宽度比所述管芯标记沿着所述管芯标记的所述第一表面 的宽度大。
8.根据权利要求1所述的方法,其中每个引线框架指与所述管芯 标记以间隙宽度隔开,并且所述管芯越过每个间隙宽度并且在每个引 线框架指之上延伸。
9.根据权利要求1所述的方法,其中每个引线框架指的所述近端 在所述管芯之下。
10.一种形成具有延伸的管芯尺寸的封装的半导体器件的方法, 包括:
用粘合胶带的粘合剂接触管芯标记;
用粘合剂接触多个引线框架指;
在间隔件的第一表面处将导电间隔件机械耦合并且电耦合到所述 管芯标记的第一表面;
在管芯的第一表面处将管芯机械耦合并且电耦合到所述间隔件的 第二表面,其中所述管芯沿着所述管芯的所述第一表面的宽度比所述 管芯标记沿着所述管芯标记的所述第一表面的宽度大;
使用至少一个电连接器将所述管芯的第二表面上的至少一个电接 触件与至少一个所述引线框架指电耦合;
分别使用模塑化合物和包封化合物中的一个对所述管芯、所述至 少一个电连接器的至少一部分、所述间隔件、所述管芯标记的至少一 部分和每个引线框架指的至少一部分进行二次模塑和包封中的一个, 以形成封装的半导体器件;以及
从所述粘合剂移除所述封装的半导体器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造