[发明专利]延伸管芯尺寸的方法和系统及并入管芯的封装半导体器件在审
申请号: | 201510629993.3 | 申请日: | 2015-09-29 |
公开(公告)号: | CN105513979A | 公开(公告)日: | 2016-04-20 |
发明(设计)人: | A·普拉扎卡莫;良仁勇;陈开质 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 延伸 管芯 尺寸 方法 系统 并入 封装 半导体器件 | ||
技术领域
本发明的方面一般涉及封装的半导体器件。
背景技术
半导体器件在使用前通常包入封装内(或部分包入封装内)。一 些封装包含单个管芯,而其它则包含多个管芯。封装经常提供一些对 管芯的保护(诸如防止腐蚀、冲击和其它伤害),并且还经常包括电 引线或者将管芯的电接触件与母板连接的其它组件。封装还可以包括 被配置为让热量从管芯消散到母板中或者到封装外的组件。
发明内容
封装的半导体器件的实现方式可以包括:管芯标记(flag)和多 个引线框架指,每个引线框架指的近端与管芯标记隔开;间隔件 (spacer)在间隔件的第一表面处机械耦合并且电耦合到管芯标记的 第一表面;管芯,在管芯的第一表面处机械耦合并且电耦合到间隔件 的第二表面;将管芯的第二表面上的至少一个电接触件与至少一个引 线框架指耦合的至少一个电连接器;以及包封管芯、间隔件、至少一 个电连接器的至少一部分、管芯标记的至少一部分和每个引线框架指 的至少一部分的模塑化合物;其中间隔件沿着间隔件的第二表面的宽 度大于管芯标记沿着管芯标记的第一表面的宽度。
封装的半导体器件的实现方式可以包括下列的一个、全部或任意 一些:
管芯标记的第一表面可以在与管芯标记的第二表面相对的管芯标 记的一侧上,间隔件的第一表面可以在与间隔件的第二表面相对的间 隔件的一侧上,而管芯的第一表面可以在与管芯的第二表面相对的管 芯的一侧上。
每个引线框架指可以与管芯标记以间隙宽度隔开,而间隔件可以 越过每个间隙宽度并且在每个引线框架指之上延伸。
每个引线框架指的近端可以在间隔件之下。
管芯标记的第一表面和每个引线框架指的第一表面可以基本上是 共面的。
管芯标记的第一表面和每个引线框架指的第一表面可以基本上是 在间隔件之下共面的。
间隔件可以具有至少一个被配置为接收绝缘材料的凹槽。
绝缘材料可以耦合到在间隔件和至少一个引线框架指之间的至少 一个凹槽。
在封装的半导体器件内延伸管芯尺寸的方法的实现方式可以包 括:在间隔件的第一表面处将间隔件机械耦合并且电耦合到管芯标记 的第一表面,管芯标记由多个引线框架指包围,其中每个引线框架指 的近端与管芯标记隔开;在管芯的第一表面处将管芯机械耦合并且电 耦合到间隔件的第二表面;以及分别使用模塑化合物和包封化合物的 一个对管芯、间隔件、管芯标记的至少一部分和每个引线框架指的至 少一部分进行二次模塑(overmold)和包封中的一个;其中间隔件沿 着间隔件的第二表面的宽度大于管芯标记沿着管芯标记的第一表面的 宽度。
在封装的半导体器件内延伸管芯尺寸的方法的实现方式可以包括 下列的一个、全部或任意一些:
每个引线框架指可以与管芯标记以间隙宽度隔开,而间隔件可以 越过每个间隙宽度并且在每个引线框架指之上延伸。
每个引线框架指的近端可以在间隔件之下。
管芯标记的第一表面与每个引线框架指的第一表面可以基本上是 共面的。
管芯可以使用导电粘合剂电耦合并且机械耦合到间隔件。
绝缘材料可以耦合在间隔件和至少一个引线框架指之间。
将绝缘材料耦合在间隔件和至少一个引线框架指之间可以包括将 绝缘材料耦合到在间隔件的第一表面中的凹槽。
管芯沿着管芯的第一表面的宽度可以大于管芯标记沿着管芯标记 的第一表面的宽度。
每个引线框架指可以与管芯标记以间隙宽度隔开,而管芯可以越 过每个间隙宽度并且在每个引线框架指之上延伸。
每个引线框架指的近端可以在管芯之下。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造