[发明专利]一种三氧化钨纳米薄膜的制备方法在审
申请号: | 201510634015.8 | 申请日: | 2015-09-29 |
公开(公告)号: | CN105274503A | 公开(公告)日: | 2016-01-27 |
发明(设计)人: | 李远刚;冯娟;李华静;张卓;杨淑丽;史永宏;魏小亮;王荣荣 | 申请(专利权)人: | 西安科技大学 |
主分类号: | C23C18/16 | 分类号: | C23C18/16;C25B11/04 |
代理公司: | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人: | 谭文琰 |
地址: | 710054 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氧化钨 纳米 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种三氧化钨纳米薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一、将六氯化钨溶解于无水乙醇中,搅拌均匀后得到前驱体溶液;所述前驱体溶液中六氯化钨的摩尔浓度为5mmol/L~60mmol/L;
步骤二、采用滴涂法将5μL~100μL步骤一中所述前驱体溶液滴涂于衬底表面并吹干,再将所述衬底在温度为80℃~150℃的条件下热处理3min~5min后冷却至室温;
步骤三、重复步骤二,直至所述衬底表面得到膜层;
步骤四、将步骤三中所述膜层加热至400℃~550℃高温煅烧2h~6h,高温煅烧后在衬底表面得到三氧化钨纳米薄膜。
2.按照权利要求1所述的一种三氧化钨纳米薄膜的制备方法,其特征在于,步骤四中所述高温煅烧的升温速率为6℃/min~10℃/min。
3.按照权利要求1所述的一种三氧化钨纳米薄膜的制备方法,其特征在于,步骤四中所述高温锻造的温度为400℃~450℃,时间为4h~5h。
4.按照权利要求3所述的一种三氧化钨纳米薄膜的制备方法,其特征在于,所述高温锻造的温度为450℃,时间为4h。
5.按照权利要求1所述的一种三氧化钨纳米薄膜的制备方法,其特征在于,步骤一所述前驱体溶液中六氯化钨的摩尔浓度为30mmol/L~50mmol/L。
6.按照权利要求5所述的一种三氧化钨纳米薄膜的制备方法,其特征在于,所述前驱体溶液中六氯化钨的摩尔浓度为40mmol/L。
7.按照权利要求1所述的一种三氧化钨纳米薄膜的制备方法,其特征在于,步骤二所述滴涂法的过程中采用微量移液器吸取所述前驱体溶液。
8.按照权利要求1所述的一种三氧化钨纳米薄膜的制备方法,其特征在于,步骤二中所述衬底为FTO导电玻璃。
9.按照权利要求1所述的一种三氧化钨纳米薄膜的制备方法,其特征在于,步骤四中所述三氧化钨纳米薄膜的厚度为200nm~5000nm。
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