[发明专利]一种三氧化钨纳米薄膜的制备方法在审

专利信息
申请号: 201510634015.8 申请日: 2015-09-29
公开(公告)号: CN105274503A 公开(公告)日: 2016-01-27
发明(设计)人: 李远刚;冯娟;李华静;张卓;杨淑丽;史永宏;魏小亮;王荣荣 申请(专利权)人: 西安科技大学
主分类号: C23C18/16 分类号: C23C18/16;C25B11/04
代理公司: 西安创知专利事务所 61213 代理人: 谭文琰
地址: 710054 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 氧化钨 纳米 薄膜 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种三氧化钨纳米薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤一、将六氯化钨溶解于无水乙醇中,搅拌均匀后得到前驱体溶液;所述前驱体溶液中六氯化钨的摩尔浓度为5mmol/L~60mmol/L;

步骤二、采用滴涂法将5μL~100μL步骤一中所述前驱体溶液滴涂于衬底表面并吹干,再将所述衬底在温度为80℃~150℃的条件下热处理3min~5min后冷却至室温;

步骤三、重复步骤二,直至所述衬底表面得到膜层;

步骤四、将步骤三中所述膜层加热至400℃~550℃高温煅烧2h~6h,高温煅烧后在衬底表面得到三氧化钨纳米薄膜。

2.按照权利要求1所述的一种三氧化钨纳米薄膜的制备方法,其特征在于,步骤四中所述高温煅烧的升温速率为6℃/min~10℃/min。

3.按照权利要求1所述的一种三氧化钨纳米薄膜的制备方法,其特征在于,步骤四中所述高温锻造的温度为400℃~450℃,时间为4h~5h。

4.按照权利要求3所述的一种三氧化钨纳米薄膜的制备方法,其特征在于,所述高温锻造的温度为450℃,时间为4h。

5.按照权利要求1所述的一种三氧化钨纳米薄膜的制备方法,其特征在于,步骤一所述前驱体溶液中六氯化钨的摩尔浓度为30mmol/L~50mmol/L。

6.按照权利要求5所述的一种三氧化钨纳米薄膜的制备方法,其特征在于,所述前驱体溶液中六氯化钨的摩尔浓度为40mmol/L。

7.按照权利要求1所述的一种三氧化钨纳米薄膜的制备方法,其特征在于,步骤二所述滴涂法的过程中采用微量移液器吸取所述前驱体溶液。

8.按照权利要求1所述的一种三氧化钨纳米薄膜的制备方法,其特征在于,步骤二中所述衬底为FTO导电玻璃。

9.按照权利要求1所述的一种三氧化钨纳米薄膜的制备方法,其特征在于,步骤四中所述三氧化钨纳米薄膜的厚度为200nm~5000nm。

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