[发明专利]化学增幅型负型抗蚀剂组合物、光固化性干膜、制备方法和图案化方法有效
申请号: | 201510639031.6 | 申请日: | 2015-09-29 |
公开(公告)号: | CN105487337B | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
发明(设计)人: | 浅井聪;竹村胜也;曾我恭子 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | G03F7/038 | 分类号: | G03F7/038;G03F7/004;G03F7/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 杜丽利 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 化学 增幅 型负型抗蚀剂 组合 光固化 性干膜 制备 方法 图案 | ||
1.化学增幅型负型抗蚀剂组合物,包含
(A)带有机硅结构的聚合物,其包含通式(1)的重复单元并且具有重均分子量3,000~500,000,
其中R1~R4各自独立地为一价C1-C8烃基,m是1~100的整数,a、b、c和d各自独立地为0或正数,a+b0,并且a+b+c+d=1,X为具有通式(2)的二价有机基团:
其中W为选自以下的二价有机基团:
n为0或1,R5和R6各自独立地为C1-C4烷基或烷氧基,k独立地为0、1或2,Y为具有通式(3)的二价有机基团:
其中V为选自以下的二价有机基团:
p为0或1,R7和R8各自独立地为C1-C4烷基或烷氧基,h独立地为0、1或2,
(B)选自具有至少三个羟基的多元酚的至少一种化合物,
(C)光致产酸剂,其曝光于190~500nm的波长辐照时分解生成酸,以及
(D)溶剂,
其中组分(B)为选自由通式(4-A)~(4-E)表示的具有至少三个羟基的多元酚的至少一种化合物:
其中R100~R125各自独立地为氢、羟基、烷基、环烷基或芳基,其可为卤素取代的,R100~R125的至少三个为羟基,R126为氢、羟基、烷基、环烷基或芳基,其可为卤素取代的,Q1为选自以下的结构:
其中R127和R128各自独立地为氢、烷基、环烷基或芳基,其可为卤素取代的,q为0或1,Q2为选自以下的结构:
并且Q3为选自以下的结构:
2.权利要求1的抗蚀剂组合物,进一步包含(E)至少一种交联剂,其选自由用甲醛或甲醛-醇改性的氨基缩合物、分子中平均具有至少两个羟甲基或烷氧基羟甲基的酚化合物、以及其中羟基被缩水甘油氧基替代的多元酚化合物组成的组。
3.光固化性干膜,其包括夹在支持膜和保护膜之间的具有厚度5~300μm的光固化性树脂层,该光固化性树脂层是由权利要求1所述的化学增幅型负型抗蚀剂组合物形成的。
4.光固化性干膜的制备方法,包括以下步骤:
(i)将权利要求1的化学增幅型负型抗蚀剂组合物连续涂布在支持膜上,
(ii)连续干燥该组合物以在该支持膜上形成光固化性树脂层,以及
(iii)将保护膜施涂在该光固化性树脂层上。
5.图案形成方法,其包括以下步骤:
(I)从权利要求3的光固化性干膜剥离保护膜并且使露出的光固化性树脂层与基材紧密接触,
(II)通过光掩模并且通过支持膜或者在支持膜被剥离下将该光固化性树脂层曝光于190~500nm波长的高能辐照或EB,
(III)后曝光烘焙,和
(IV)在显影剂中显影以将该层图案化。
6.权利要求5的方法,进一步包括(V)在100~250℃的温度下将从显影步骤(IV)得到的经图案化的层后固化。
7.图案形成方法,包括以下步骤:
(1)将权利要求1的化学增幅型负型抗蚀剂组合物涂布在基材上,并且预烘焙以形成抗蚀剂膜,
(2)通过光掩模将该抗蚀剂膜曝光于190~500nm波长的高能辐照或电子束,
(3)烘焙并且在显影剂中显影以将抗蚀剂膜图案化。
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