[发明专利]晶片的加工方法有效

专利信息
申请号: 201510640532.6 申请日: 2015-09-30
公开(公告)号: CN105514036B 公开(公告)日: 2019-09-06
发明(设计)人: 山下阳平;古田健次;李怡慧 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: H01L21/78 分类号: H01L21/78;B23K26/53
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;金玲
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 晶片 加工 方法
【权利要求书】:

1.一种晶片的加工方法,该晶片具有器件区域以及围绕该器件区域的外周剩余区域,该器件区域是在正面的由多条分割预定线划分出的各区域分别形成了具有凸块电极的器件的区域,

该加工方法的特征在于,包括:

晶片支撑工序,在晶片的背面贴附切割带的正面,并且通过环状框架支撑切割带的外周部;

晶片保持工序,通过框架夹钳固定该环状框架,由此利用贴附于晶片的背面的该切割带将晶片压紧保持于保持台的保持面;

环状改质层形成工序,从切割带的背面侧透过切割带,将对切割带和晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于器件区域与外周剩余区域之间的边界部的内部而沿着器件区域与外周剩余区域之间的边界部照射该激光光线,在晶片的内部沿着器件区域与外周剩余区域之间的边界部形成环状改质层,以使得通过切割带压紧外周剩余区域时产生的应力不会被传递至器件区域;以及

改质层形成工序,其紧接在实施了环状改质层形成工序后实施,从切割带的背面侧透过切割带,将对切割带和晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于晶片的内部而沿着分割预定线照射该激光光线,在晶片的内部沿着分割预定线形成改质层。

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