[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包含以下步骤：

(a)提供半导体衬底；

(b)在所述半导体衬底的主表面的上方形成绝缘膜部；

(c)在所述绝缘膜部的上方形成导电膜；以及

(d)将所述导电膜和所述绝缘膜部图案化，由此形成栅电极以及在所述栅电极和所述半导体衬底之间的栅极绝缘膜，

其中，步骤(b)包含以下步骤：

(b1)在所述半导体衬底的所述主表面的上方形成含有硅和氧的第一绝缘膜；

(b2)在所述第一绝缘膜的上方形成含有硅和氮的第二绝缘膜；

(b3)在所述第二绝缘膜的上方形成含有硅和氧的第三绝缘膜；

(b4)在所述第三绝缘膜的上方形成含有硅和氮的第四绝缘膜；

(b5)在所述第四绝缘膜的上方形成含有硅和氧的第五绝缘膜，并且由此形成由所述第一绝缘膜、所述第二绝缘膜、所述第三绝缘膜、所述第四绝缘膜和所述第五绝缘膜构成的所述绝缘膜部，

其中，所述第三绝缘膜的厚度小于所述第二绝缘膜的厚度，并且所述第四绝缘膜的厚度大于所述第二绝缘膜的厚度，

其中，在步骤(b2)中，所述第二绝缘膜是氮化硅膜，

其中，在步骤(b3)中，用第一处理液直接处理所述第二绝缘膜的上表面，以形成所述第三绝缘膜，并且

其中，所述第一处理液由在室温下具有至少10MΩcm的电阻率的纯水构成。

2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中，在步骤(b2)中，通过原子层沉积来形成所述第二绝缘膜。

3.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中，所述栅电极和所述栅极绝缘膜是非易失性存储器的部件，所述非易失性存储器被构成为使得：

通过将电子从所述半导体衬底注入到所述栅极绝缘膜，来在所述非易失性存储器中写入数据，并且

通过将空穴从所述半导体衬底注入到所述栅极绝缘膜，来从所述非易失性存储器擦除数据。

4.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中，步骤(b3)包含以下步骤：

(b6)用所述第一处理液对所述第二绝缘膜的所述上表面进行处理；以及

(b7)用含有氢氟酸的第二处理液对所述第二绝缘膜的所述上表面进行处理，

其中，在步骤(b3)中，交替地重复步骤(b6)和步骤(b7)，以形成所述第三绝缘膜。

5.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中，所述第一绝缘膜包含氧化硅，所述第三绝缘膜包含氧化硅，所述第四绝缘膜包含氮化硅，并且所述第五绝缘膜包含氧化硅。

6.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中，所述第二绝缘膜是第一电荷存储部，并且

其中，所述第四绝缘膜是第二电荷存储部。

7.根据权利要求2所述的制造半导体器件的方法，

其中，在步骤(b2)中，原子层沉积是在小于600℃的温度下进行的。

8.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中，所述纯水具有至少18MΩcm的电阻率。