[发明专利]研磨装置及处理方法

说明书

本发明提供一种研磨装置及处理方法，抛光处理装置及方法，能够使处理对象物的处理速度提高且使处理对象物的面内均一性提高。抛光处理构件(350)具备：头，安装有用于通过与晶片(W)接触并进行相对运动从而对晶片(W)进行规定的处理的抛光垫；以及抛光臂(600‑1、600‑2)，用于对头进行保持。头包含：安装有比晶片(W)直径小的第1抛光垫(502‑1)的第1抛光头(500‑1)；以及安装有比第1抛光垫(502‑1)直径小的第2抛光垫(502‑2)的与第1抛光头(500‑1)不同的第2抛光头(500‑2)。

技术领域

本发明涉及一种基板处理装置及处理方法。另外，本发明涉及一种处理构件、处理组件及处理方法。另外，本发明涉及一种研磨装置及处理方法。另外，本发明涉及一种抛光处理装置及方法。

背景技术

近年来，用于对处理对象物(例如半导体晶片等基板或形成于基板的表面的各种膜)进行各种处理的处理装置被使用。作为处理装置的一例，例举用于进行处理对象物的研磨处理等的CMP(化学机械研磨)装置。

CMP装置具备用于进行处理对象物的研磨处理的研磨单元、用于进行处理对象物的清洗处理及干燥处理的清洗单元，以及，向研磨单元交接处理对象物并接收由清洗单元作清洗处理及干燥处理后的处理对象物的装载/卸载单元等。另外，CMP装置具备在研磨单元、清洗单元及装载/卸载单元内进行处理对象物的搬运的搬运机构。CMP装置一边通过搬运机构搬运处理对象物，一边依次进行研磨、清洗及干燥的各种处理。

另外，在CMP装置中，以除去研磨处理后的处理对象物表面的研磨液、研磨残渣等为目的，有时也设置处理单元，该处理单元具备：设置处理对象物的台；安装有比处理对象物直径小的垫的头；及对头进行保持并在处理对象物面内进行水平运动的臂。处理单元通过使垫与处理对象物接触并相对运动，从而对处理对象物进行规定的处理。

在此，在以往技术(例如专利文献1)中采用一种处理单元，该处理单元具备分别安装有比处理对象物直径小的多个垫的多个头，以及对多个头分别进行保持的多个臂。根据该以往技术，可以认为由于能够使多个垫与处理对象物接触，因此垫与处理对象物的接触面积增加，其结果，能够使处理速度提高。

另外，本申请的申请人还对如下技术申请了专利(专利文献3)：将精加工处理单元与主要的研磨部分开地设置在CMP装置内，对基板进行少量追加研磨、清洗，其中该精加工处理单元，在基板研磨后，将比基板直径小的接触部件按压到研磨后的基板并相对于基板进行相对运动。

在此关于包含CMP的平坦化技术，近年来，被研磨材料涉及多方面，另外对其研磨性能(例如平坦性、研磨损伤，进一步还有生产性)的要求变得严格。在CMP装置中，由于半导体装置的细微化，对研磨性能及清洁度的要求变高。

一般的，在CMP装置中，处理对象物的清洗大多是通过使辊状的海绵(以下称为辊海绵)、小径的海绵(以下称为笔形海绵)与处理对象物接触来进行的。海绵为PVA等软质的素材。进一步，提议在CMP装置内设置精加工处理用的单元，其目的在于：为了除去如由这样的软质素材无法除去的粘着性的微粒、除去处理对象物表面的微小刮痕而对处理对象物表面进行少量研磨。精加工处理用的单元使比PVA硬质的部件接触处理对象物来进行精加工处理。(专利文献5、6)

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利6561881号公报

专利文献2：日本特开平9-92633号公报

专利文献3：日本特开平8-71511号公报

专利文献4：日本特开2010-50436号公报

专利文献5：日本特开平8-71511

专利文献6：日本特开2001-135604

发明所要解决的课题